电子线路基础(梁明理)第1章.pptVIP

第1章 基本半导体器件 1.4 场效应管——结型场效应管 特性曲线—转移特性曲线 uGS=0时的漏极电流称为饱和漏极电流，ID(sat) uGS=0时，漏源间为两个背靠背的PN结，不导电。 N沟道增强型MOS管 第1章 基本半导体器件 1.4 场效应管——绝缘栅场效应管 uDS 不变，uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，管子导通。 此时的uGS称为开启电压VGS(th) 。 第1章 基本半导体器件 1.4 场效应管——绝缘栅场效应管 第1章 基本半导体器件 1.4 场效应管——绝缘栅场效应管 1. UGS对导电沟道的控制情况： （1）当UGS=0时，在D、S为背靠背二极管，不存在导电沟道。 （2）当UGSUT，会感应出电子层。因此，UGS的变化会使反型层的宽度变化，达到控制ID的目的。 2．当UGS VGS(th)时，uDS对iD的影响。 （1）当uDS=0时，iD=0 （2）当uDS0时，iD随uDS的增大而增大 （3）当uDS增大至uGD= uGS- uDS= VGS(th)时,漏极一端出现夹断区，称为预夹断。 若uDS继续增大，则完全消耗在夹断区上，iD不再随uDS的增大而增大，仅决定于uGS。进入恒流区。 第1章 基本半导体器件 1.4 场效应管——绝缘栅场效应管 输入特性：vGS