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第7章 霍尔传感器 霍尔传感器是利用半导体材料的霍尔效应进行测量的一种传感器。它可以直接测量磁场及微位移量，也可以间接测量液位、压力等工业生产过程参数。本章在介绍霍尔元件的基本工作原理、结构和主要技术指标的基础上，讨论测量电路及温度补偿方法；最后介绍霍尔传感器的应用。 7.1 霍尔元件工作原理 霍尔元件是霍尔传感器的敏感元件和转换元件，它是利用某些半导体材料的霍尔效应原理制成的。所谓霍尔效应是指置于磁场中的导体或半导体中通入电流时，若电流与磁场垂直，则在与磁场和电流都垂直的方向上出现一个电势差。 图7.1 霍尔效应原理图 图7.1所示为一个N型半导体薄片。长、宽、厚分别为L、l、d，在垂直于该半导体薄片平面的方向上，施加磁感应强度为B的磁场。在其长度方向的两个面上做两个金属电极，称为控制电极，并外加一电压U，则在长度方向就有电流I流动。而自由电子与电流的运动方向相反。在磁场中自由电子将受到洛仑兹力FL的作用，受力的方向可由左手定则判定，即使磁力线穿过左手掌心，四指方向为电流方向，则拇指方向就是多数载流子所受洛仑兹力的方向。在洛仑兹力的作用下，电子向一侧偏转，使该侧形成负电荷的积累，另一侧则形成正电荷的积累。所以在半导体薄片的宽度方向形成了电场，该电场对自由电子产生电场力FE，该电场力FE对电子的作用力与洛仑兹力的方向相反，即阻止自由电子的继续偏转。当电场力与洛仑兹力相等时，自由电子的积累便达到了动态平衡，这时在半导体薄片的宽度方向所建立的电场称为霍尔电场，而在此方向的两个端面之间形成一个稳定的电势，称霍尔电势UH。上述洛仑兹力FL的大小为 FL=eB 式中，FL为洛仑兹力（N）；e为电子电量，等于1.602×10-19C；为电子速度（m/s）；B为磁感应强度（Wb/m2）。 电场力的大小为 FE=eEH=e 式中，FE为电场力（N）；EH为霍尔电场强度（V/m）；UH为霍尔电势（V）；l为霍尔元件宽度（m）。 当FL=FE时，达到动态平衡，则 eB 经简化，得 UH=·B·l （7.1） 对于N型半导体，通入霍尔元件的电流可表示为 I=neld （7.2） 式中，d为霍尔元件厚度（m）；n为N型半导体的电子浓度（1/m3）。 由式（7.2）得 （7.3） 将式（7.3）代入式（7.1）得 （7.4） 式中，，为霍尔元件的乘积灵敏度；，为霍尔灵敏系数。 由式（7.4）知，霍尔电势与KH、I、B有关。当I、B大小一定时，KH越大，UH越大。显然，一般希望KH越大越好。 而乘积灵敏度KH与n、e、d成反比关系。若电子浓度n较高，使得KH太小；若电子浓度n较小，则导电能力就差。所以，希望半导体的电子浓度n适中，而且可以通过掺杂来获得所希望的电子浓度。一般来说，都是选择半导体材料来做霍尔元件。此外，对厚度d选择得越小，KH越高；但霍尔元件的机械强度下降，且输入/输出电阻增加。因此，霍尔元件不能做得太薄。 式（7.4）是在磁感应强度B与霍尔元件成垂直条件下得出来的。若B与霍尔元件平面的法线成一角度?，则输出的霍尔电势为 （7.5） 上面讨论的是N型半导体，对于P型半导体，其多数载流子是空穴。同样也存在着霍尔效应，用空穴浓度p代替电子浓度n，同样可以导出P型霍尔元件的霍尔电势表达式为 UH=KHIB 或 UH=KHIBcos? 式中，KH=。 注意：采用N型或P型半导体，其多数载流子所受洛仑兹力的方向是一样的，但它们产生的霍尔电势的极性是相反的。所以，可以通过实验判别材料的类型。在霍尔传感器的使用中，若能通过测量电路测出UH，那么只要已知B、I中的一个参数，就可求出另一个参数。 7.2 霍尔元件的基本结构和主要特性参数 7.2.1 基本结构 用于制造霍尔元件的材料主要有Ge（锗）、Si（硅）、InAs（砷化铟）和InSb（锑化铟）等。采用锗和硅材料制作的霍尔元件，具有霍尔灵敏系数高，加工工艺简单的特点，它们的霍尔灵敏系数分别为4.25×103和2.25×103（单位cm3/C）。采用砷化铟和锑化铟材料的霍尔元件，它们的霍尔系数相对要低一些，分别为350和1 000，但它们的切片工艺好，采用化学腐蚀法，可将其加工到10um，且具有很高的霍尔灵敏系数。 1、2—控制电流引线端；3、4—霍尔电势输出端 图7.2 霍尔元件结构图 霍尔元件的结构示意图如图7.2（a）所示。 图7.2所示的矩形状霍尔薄片称为基片，在它相互垂直的两组侧面上各装一组电极：电极1、