第四章-溅射工艺.pptVIP

?磁控溅射 三、溅射镀膜的类型 ?对向靶溅射 对于磁性材料，要实现低温、高速溅射镀膜，由于靶的磁阻很低，磁场几乎完全从靶中通过，不可能在靶面上形成平行的磁场。 采用对向靶溅射技术，可以解决上述问题。 对向靶溅射具有溅射速率高、基板温度低、可淀积磁性薄膜等优点。 三、溅射镀膜的类型 ?反应溅射 一般描述 与反应蒸发相类似，在溅射过程中引入反应气体，就可以控制生成薄膜的组成和特性，称为“反应溅射”。 溅射淀积高纯介质薄膜和各种化合物薄膜，必须先有高纯靶。 高纯的氧化物、氮化物、碳化物、或其它化合物粉末并不难得，但是，加工成靶却是很难的。 三、溅射镀膜的类型 ?反应溅射 反应动力学过程 反应物之间发生化学反应的必要条件：反应物分子必须有足够能量以克服分子间的势垒ε。 反应活化能为： E a 和E ’a为正逆反应过程的活化能； 三、溅射镀膜的类型 ?反应溅射 粒子的按能量分布： 反应速度常数： 教材中给出了能量大于E A 的溅射粒子和蒸发粒子的比较；以及反应溅射和反应蒸发速率的比较。 目前，对于反应溅射成膜过程及机理的研究还不十分深入。通常靶反应溅射过程分为三个部分：靶面反应、气相反应、基片反应。 三、溅射镀膜的类型 ?反应溅射 （1）靶面反应 靶面金属与反应气体之间的反应，结果影响淀积薄膜的质量和成分。 关键是防止在靶面上形成稳定化合物（如铝靶）。 （2）气相反应 逸出靶面的原子在到达基片之前与反应气体发生反应形成化合物。 三、溅射镀膜的类型 ?反应溅射 （3）基片反应 溅射原子在基片表面形成所需要的化合物。基本要求是： ? 到达基片的金属原子与反应气体分子之间维持一定的比例； ? 保持适当的基片温度。 三、溅射镀膜的类型 ?反应溅射 三、溅射镀膜的类型 习题、思考题 1. 溅射镀膜与真空镀膜相比，有何特点？ 2. 正常辉光放电和异常辉光放电的特征？ 3. 射频辉光放电的特点？ 4. 溅射的概念及溅射参数。 5. 溅射机理 6. 二极直流溅射、偏压溅射、三极或四极溅射、射频溅射、磁控溅射系统的结构和原理 ?溅射机理 撞击溅射的分类 入射离子的能量损失可以分为两部分：一部分用于靶原子核的反冲运动，另一部分用于激发或电离靶原子核外的电子，分别对应于核阻止本领和电子阻止本领。对于低能离子，核阻止本领是主要的，而对于高能离子，电子阻止本领则是主要的。 二、溅射镀膜的基本原理 ?溅射机理 离子注入： 如果入射离子的速度方向与固体表面的夹角大于某一临界角，它将能够进入固体表面层，与固体中的原子发生一系列的弹性和非弹性碰撞，并不断地损失其能量。当入射离子的能量损失到某一定的值（ 约为20eV左右) 时，将停止在固体中不再运动。上述过程被称为离子注入过程。 Ion E 二、溅射镀膜的基本原理 ?溅射机理 溅射现象： 当级联运动的原子运动到固体表面时，如果其能量大于表面的势垒，它将克服表面的束缚而飞出表面层，这就是溅射现象。溅射出来的粒子除了是原子外，也可以是原子团。 二、溅射镀膜的基本原理 ?溅射机理 溅射现象： 二、溅射镀膜的基本原理 ?溅射机理 离子与靶相互作用 ? 按参与碰撞粒子的种类划分： 入射离子（或载能原子）---静止靶原子的碰撞 反冲原子---静止靶原子的碰撞 ? 按能量损失的方式划分： 弹性碰撞 非弹性碰撞 二、溅射镀膜的基本原理 ?溅射特性 双体弹性模型： 通常在两种坐标系中研究碰撞二体问题： 1）实验坐标系（实验测量） 2）质心坐标系（理论研究） 实验坐标系 入射粒子（粒子、反冲原子）： (M 1, v 0) 靶原子（静止）： (M2，0) 二、溅射镀膜的基本原理 ?溅射特性 双体弹性模型： 散射角 反冲角 二、溅射镀膜的基本原理 ?溅射特性 双体弹性模型： 可以得到：散射原子的能量 反冲原子的能量 其中： 二、溅射镀膜的基本原理 ?溅射特性 双体弹性模型： 当θ＝π（对头碰撞），（M2 M1） 或θ＝0时（M2 M1），有： 二、溅射镀膜的基本原理 ?溅射特性 双体弹性模型： 当M2 M1时，有 电子不能产生溅射。 当M2 M1时，有 二、溅射镀膜的基本原理 ?溅射特性 双体弹性模型： 根据能量转移关系，可以得出溅射产额正比于核阻止截面。 式中， 是核阻止截面， E0入射离子能量， a是原子相互作用屏蔽半径， U0是表面势能。 二、溅射镀膜的基本原理 ?二极直流溅射 系统结构： 基片 三、溅射镀膜的类型 ?二极直流溅射 特点： 结构简单，可以获得大面积均匀薄膜。 控制参数：功率、电压、压力、电极间距等。 缺点 a. 溅射参数不易独立控制，放电电流随电压和气 压变化，工艺重复性差； b. 真空系统多采用扩散泵，残留气体对膜层污染较严重，纯度较差； c. 基片温度