利用UHV2fCVD在SiO_2c2_薄膜上生长多晶锗硅薄膜的分析.pdfVIP

第一章前言 第一章前言 1．1立题依据 锗硅(Sil一，G％)材料是由硅和锗组成的半导体合金材料，其中si和Ge能以任 意比例混溶，可以实现能带可调以及应力调整，能与硅平面工艺相兼容，具有优 良的电学性能和光学性能，被称为是被称为”第二代硅微电子技术”。在高速异质 结双极型晶体管(HBT)、调制掺杂场效管中获得应用，其中HBT己走向产业化。 锗硅材料具有能带可调的特性，在光电子方面有其应用价值。随着技术的发展， 锗硅材料也面临着新的问题和挑战。随着器件向深亚微米发展，锗硅材料的用途 也越来越广泛，单纯的外延生长已无法满足锗硅材料的应用，一系列新器件、新 结构的出现，对锗硅材料的生长提出了更高的要求。 在深亚微米集成电路工艺中，特征尺寸不断缩小，为能同时减少节问漏电流 和短沟道效应，抬高型源漏(ESD)被应用于集成电路工艺中。抬高型源漏一方面 需要在源漏极预沉积一层si消耗层，而在侧墙上不形成多晶硅膜，防止通过侧墙 产生从源极到栅极的漏电流，另一方面在制作应变锗硅源漏需要选择性生长单 晶锗硅材料。而目前多采用MBE，RPCVD等方法，以含氯气源为主，选择性生长 方法普遍具有较高的生长温度，这会导致锗硅材料的应力弛豫，有必要研究适合 锗硅材料低温选择性生长方法。 锗硅单晶材料目前已经实现工业化应用，同时，多晶锗硅材料近年来也受到 越来越多的关注。多晶锗硅材料具有比多晶硅更高的载流子迁移率，在低温薄 膜晶体管和太阳能电池领域是一中很有吸引力的材料【1]。采用目前方法生长的 多晶锗硅薄膜并不象预期一样，具有较高的载流子迁移率，这主要是由于生长的 多晶锗硅薄膜内的缺陷较多以及锗偏析等原因造成的，限制了锗硅薄膜作为器 件有源区的应用，有必要开发先进的多晶锗硅薄膜生长技术。 在锗硅材料的制备中，应用最广泛的是UHVCVD设备，该设备有着极高的 本底真空，氧、碳等有害杂质的分压低，能够获得纯度非常高的薄没，而且可以 在较低的生长压强下生长，精确控制薄膜生长速度。由于上述优点，UHVCVD设 备不仅可以广泛的应用于单晶锗硅的外延生长中，同时也可以应用到多晶锗硅 材料的制备中。本论文将研究利用UHVCVD来实现锗硅的选择性外延生长和多 第一章前言 晶锗硅薄膜的制备。 1．2研究构思 从上节可知，要实现低温下锗硅选择性外延生长的关键问题是延长锗硅薄 膜在Si02表面上的潜伏时间，而在制备多晶锗硅薄膜则要求在Si02表面能够快 速沉积多晶锗硅薄膜，尽量减小潜伏期，甚至实现零潜伏期。两者均是围绕在多 晶锗硅与Si02的界面反应，有着共同之处，并不矛盾。我们知道，直接在Si02表 面上沉积锗硅薄膜很困难，有一定的潜伏期的，这也是能够实现选择性外延的先 天条件。由于UHVCVD是低温下制备锗硅材料的有利工具，在利用UHVCVD实 现低温选择性外延，较低温度下在si窗口上能够快速生长外延锗硅薄膜。同时， 由于含氯气氛需要较高的分解温度，不适合低温下的选择性外延，我们将采用非 氯气氛，即利用Sill4和GeH4为气源，以期实现更低温度的选择性外延生长。 为了在Si02表面快速制备多晶锗硅，常用的方法有两种，一是金属诱导固相 结晶(MIC)，另一种是化学气相沉积(CVD)。两类方法在生长多晶锗硅方面各有 优缺点。金属诱导固相结晶具有操作简单，成本低等优点，但金属诱导结晶技术 面临较为严重的杂质污染以及退火时间较长等问题；而化学气相沉积生长多晶 锗硅尽管不需要长时间的退火，但存在成核潜伏期问题，因此这两种方法都不足 以能够单独获得高质量的多晶锗硅薄膜。为此，我们结合UHCVD采用合适的金 属层作为诱导，利用金属的硅化物作为缓冲层，在硅化物上沉积多晶锗硅薄膜， 同时研究所制备薄膜的性质。 本论文在第二章综述了锗硅的选择性外延生长的主要原理以及各种生长方 法、多晶锗硅的生长方法及设备。第三章介绍了自行研制的UHVCVD沉积系统 和实验中用到的分析测试设备；第四章、第五章、第六章为本论文的实验及结果 分析部分，详细论述了低温选择性外延生长和采用Ni金属诱导生长多晶锗硅薄 膜的方法。最后在第七章对全文的主要论点做了总结。 第二章文献综述 第二章文献综述 锗硅(sil一，Cex)是硅和锗组成的半导体舍金材料。si、Ge均是IV族元素半导