GB/T 4326-2006非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法.pdf

ICS 77. 040. 01 H 17 中华人民共和国国家标准 GB/T 4326—2006 代替 GB/T 4326— 1984 非本征半导体单晶霍尔迁移率和 霍尔系数测量方 Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient 2006-07-18 发布 2006-1 1-01 实施 发布 GB/T 4326—2006 ■ 1 / ■ ■ 1 刖 a 本标准是对GB/T 4326— 1984 《非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方 》的修订 。本 标准是在原标准基础上 ，参考ASTM F76标准编制的。 本标准与原标准相比主要变动如下： -在测量范围条款列举的材料中增加了磷化傢单晶材料,扩大了本标准的适用范围； ——增加了附录A，在附录A中列出/因子数值表，用于电阻率计算； ——增加了原理条款，简述了测量原理； -在样品制备条款中规定样品切片必须经过研磨，以消除机械损伤 。取消了原标准中用洗涤剂 或有机溶剂清洗样品的规定； ——改变了用于神化傢样品的腐蚀液； ——增加了规定磷化傢样品腐蚀方法的条款； ——规定了配制腐蚀液的化学试剂的纯度等级； ——修改了神化镣样品的电极制备方 ，取消了腐蚀过程，改变了烧结条件； ——增加了规定磷化傢样品电极制备方法的条款； -修改了对薄片试样接触尺寸线的要求，由线度不大于0. 01厶,改位不大于0. 02L,,； ——在电极制备设备条款中提出对烧结炉的要求； ——取消了原标准中电子设备条款下规定转换开关装置和晶体管图示仪的子条目； -取消了原标准中的环境控制装置条款，保留了其中关于试样架的部分内容,改写为5.6条； ——取消了原标准中定位装置条款； -改写了原标准测量程序条款中表述测量步骤的部分，修正了原标准中的文法错误和表述不确 切的地方； ——改写了原标准规定测试报告的条款。 本标准的附录A为资料性附录。 本标准自实施之日起代替GB/T 4326— 1984。 本标准由中国有色金属丁业协会提出。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC)归口。 本标准由北京有色金属研究总院负责起草。 本标准主要起草人:王彤涵。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责解释。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T 4326— 1984。 T GB/T 4326—2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和 霍尔系数测量方 1范围 本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率 和载流子浓度。 本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对错、硅、神化傢和磷化稼单晶材料进行了实验室测量，