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2SB1188贴片三极管 SOT-89封装三极管2SB1188参数
【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料 】
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors
2SB1188 TRANSISTOR (PNP)
SOT-89-3L
FEATURES 1. BASE
Low VCE(sat). 2. COLLECTOR 1
Complements the 2SD1766 2
3. EMITTER 3
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Unit
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -32 V
VEBO Emitter-Base Voltage -5 V
IC Collector Current -Continuous -2 A
PC Collector Power Dissipation 500 mW
TJ Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature -55~150 ℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit
Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO I =-50μA , I =0 -40 V
C E
Collector-emitter breakdown voltage V
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