第1章二极管及三极管.pptVIP

1.1.2 N型半导体和P型半导体 杂质半导体的示意表示法 1.2 PN 结 15.2.1 PN结的形成 二、 PN结的单相导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 1.3 二极管 1.3.1 基本结构 1.3 半导体二极管 1.3.2 伏安特性 1.3.3 主要参数 二极管电路分析举例 1.4 稳压二极管 3. 主要参数 1.5 半导体三极管 1.5.1 基本结构 1.5.2 电流放大原理 2. 各电极电流关系及电流放大作用 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.001 0.50 1.00 1.70 2.50 3.30 0.001 0.51 1.02 1.73 2.54 3.35 结论 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ? IE ， IC ?? IB 3） ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。 跳转 后一页 前一页 返回 3. 三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 　进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 IBE 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 ICE 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO 后一页 前一页 返回 3. 三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IC IB IC=ICE+ICBO?ICE 后一页 前一页 IB=IBE-ICBO?IBE 返回 ICE 与IBE 之比称为共发射极电流放大倍数 集－射极穿透电流 温度? ? ICEO? 常用公式 后一页 前一页 返回 1.5.3 特性曲线 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 后一页 前一页 返回 1. 输入特性 2. 输出特性 输入回路 输出回路 EB IC mA ?A V UCE UBE RB IB EC V 共发射极电路 ? 后一页 前一页 返回 1.5.3 特性曲线 1. 输入特性曲线 2. 输出特性曲线 1. 输入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 特点:非线性 死区电压 硅管0.5V， 锗管0.1V。 工作压降： 硅UBE ? 0.6~0.7V, 锗UBE ? 0.2~0.3V。 后一页 前一页 返回 * * 返回 第1章 半导体二极管和三极管 返回 后一页 1.3 二极管 1.4 稳压二极管 1.5 半导体三极管 1.2 PN结 1.1 半导体的导电特性 1.1 半导体的导电特性 半导体的特性： 热敏性、光敏性、掺杂性 前一页 后一页 返回 1.1.1 本征半导体 材料：硅（Si）和锗(Ge) 晶体结构 1.1.1 本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。 硅和锗的晶体结构 前一页 后一页 返回 硅和锗的共价键结构 共价键共用电子对 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子。 +4 +4 +4 +4 前一页 后一页 返回 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 束缚电子 在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键上留下一个空位，称为空穴（带正电）。 本征半导体的导电机理 这一现象称为本征激发。 前一页 后一页 返回 本征半导体的导电机理 在其它力的作用下，空穴吸引临近的电子来填补，其结果相当于空穴的迁移。 空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。 因常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子和空穴很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 当半导体外加电压时，在电场的作用下将出现两部分电流： 1）自由电子作定向移动 ?电子电流 2）价电子填补空穴 ?空穴电流 +4 +4 +4 +4 前一页 后一页 返回 本征半导体的导电机理 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强。温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 本征半导体的导电能力取决于载