位错反应与层错理论.pptxVIP

位错反应和层错机理;面心立方晶体中的典型位错; ;位错反应能否进行取决于两个条件： ①几何条件：反应前的柏氏矢量和等于反应后的柏氏矢量和。;①一个位错分解成两个或多个具有不同柏氏矢量的位错，面心立方晶体中一个全位错分解成两个肖克莱不全位错。;FCC 中，以全位错分解成两个肖克莱位错为例。;Thompson四面体：可以帮助确定fcc结构中的位错反应。沿(111)面，定义每个面的中点坐标为：;α;实例计算;;用于表示fcc晶体中的位错反应;;;;;所有希－希向量也都可以根据向量合成规则求???：;;面心立方中扩展位错的进一步解释： ;; 但如果滑移分两步完成，即先从 B1位置沿A原子间的“低谷”滑移到邻近的C位置，即 ；然后再由C滑移到另一个 B2位置，即 ，这种滑移比较容易。 ; 每一步滑移造成了层错，因此，层错区与正常区之间必然会形成两个不全位错。故 和 为肖克莱不全位错。也就是说，一个全位错 分解为两个肖克莱不全位错 和 ，全位错的运动由两个不全位错的运动来完成，即 ;2) 扩展位错 ;;（1）扩展位错的宽度;当 f 与层错能γ相等时，处于平衡 ∴ 扩展位错的宽度:;;在外力作用下，扩展位错收缩成原来的全位错的过程称为束集。;