第7章 光 敏 传 感 器.pptVIP

(1) 在足够高的加速电压作用下，只要用一定频率的光照射在物质表面（如金属阴极），则产生正比于光强的光电流； (2) 在能够产生光电流的入射频率中，存在着一个最低频率，该频率与金属阴极的种类有关； (3) 外量子效应的光电子最大能量与入射光强度无关，与入射光频率成正比关系，如图7.2所示。若光子能量E单位为eV， 波长λ单位为nm，h为普朗克常数，c为光速，υ为频率，则有 　　2. 光谱响应特性 　　光谱响应主要取决于材料的禁带宽度。此外还与器件结构、 工艺条件及质量有关。图7.14示出典型的硅光敏二极管的光谱响应曲线。从图中可以看出，在400～1100 nm的范围内，硅光敏二极管对不同波长的入射光的响应是不同的。最高响应灵敏度所对应的入射光波长称为峰值波长。硅光敏二极管的峰值波长约为900nm。 图 7.14 硅光电二极管的光谱响应特性 　　不同波长的入射光在硅材料中被吸收的情况是不同的。波长短的光透入深度浅，易被表面层吸收，例如波长为400～500 nm的光可在表面内零点几微米范围内被完全吸收；波长长的光， 例如波长为900～1100nm的光则可以透入硅材料内几十微米。 但是光生载流子中，只有那些能扩散进入势垒区从而能够被收集的光生载流子才对光电流有贡献。如果大量的光生载流子在向势垒区扩散的途中就被复合掉，那只会降低入射光的量子效率。所以，应使PN结尽量靠近硅片表面