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                第二章  晶体缺陷  材料的实际晶体结构  点缺陷  位错  面缺陷 二、多晶体的组织与性能 三、晶体中的缺陷概论 矛盾: 可见原子由一个平衡位置滑到下一个平衡位置需要G/2的应力,而在通常受力条件下,是难达到的,即晶体难于滑动。 实际上,τ=(10-3~ 10-4)G。 1934年,M.Polany, E.Orowan, G.I.Taylor同时独立的提出位错的概念。以后又提出位错的各种模型、位错的应力场、相互作用等。 有许多的方法可观察到位错:透射电镜、浸蚀法、缀饰法、X射线衍射法、场离子显微镜等。 1939年,柏格斯(J.M.Burgers)采用一个矢量来表示位错的本质并描述位错的各种行为(晶格畸变的大小和方向)——称为柏氏矢量。 柏氏矢量的大小和方向可用它在晶轴上的分量,即用点阵矢量a,b和c来表示。对于立方晶系的晶体,由于a=b=c,故可用与柏氏矢量同向的晶向指数来表示。 位错的能量与位错的模有关,即与应变大小有关,它包括弹性畸变能和错排能,根据计算可得: 定义:单位体积晶体中所含位错线的总长度(l )即为位错密度。ρ=l / V。 若把位错线看成是一直线,平行地从晶体的一端延伸到另一端,单位截面的位错露头数目(n)也是位错密度。ρ=n / S,S为截面积。 几种实际例子: 退火多晶体金属:ρ=1010~1012m-2  精心制备和处理的超纯金属单晶体:ρ=107m-2  淬火的金属材料:ρ=1013~1014m-2  剧烈冷变形金属:ρ=1015~1016m-2 5. 柏氏矢量的表示方法:  如:     如果柏氏矢量b是另外两个柏氏矢量                      和                      之和,则按矢量加法法则有:  立方晶系:       ,柏氏矢量的模                              。 体心立方:                  ,                                 。   面心立方:                   ,                                 。 6. 位错能量的表示 b越大,位错的能量越大。处于低能量位错最稳定,即两原子间距最小的基矢表示的位错,能量最低,能稳定存在。 能量较高的位错通常倾向于分解为两个或多个能量较低的位错:  并满足:  以使系统的自由能下降。 7. 位错密度 1.位错的运动方式  ●刃型位错的运动           四、位错的运动 滑移: 滑移面:          ,具有唯一确定的滑移面。 滑移方向:                ,             。 滑移应力:滑移面上的切应力(沿    或      的应力分量)。                        在图示的晶体上施加一切应力,当应力足够大时,有使晶体上部向右发生移动的趋势。假如晶体中有一刃型位错,显然位错在晶体中发生移动比整个晶体移动要容易。    ①刃型位错的运动在外加切应力的作用下发生;    ②刃型位错移动的方向和位错线垂直;    ③运动位错扫过的区域晶体的两部分发生了柏氏矢量大小的相对运动(滑移);    ④位错移出晶体表面将在晶体的表面上产生柏氏矢量大小的台阶。  刃型位错的滑移运动:                   在图示的晶体上施加一切应力,当应力足够大时,有使晶体的左右部分发生上下移动的趋势。假如晶体中有一螺型位错,显然位错在晶体中向后发生移动,移动过的区间右边晶体向下移动一柏氏矢量。  ①螺位错也是在外加切应力的作用下发生运动;  ②位错移动的方向总是和位错线垂直;  ③运动位错扫过的区域晶体的两部分发生了柏氏矢量大小的相对运动(滑移);  ④位错移过部分在表面留下部分台阶,全部移出晶体的表面上产生柏氏矢量大小的完整台阶。      这四点同刃型位错。 螺型位错的滑移: 混合位错的滑移 混合位错的滑移过程        根据右手法则,即以拇指代表沿着柏氏矢量b移动的那部分晶体,食指代表位错线方向,则中指就表示位错线移动方向,该混合位错在外切应力τ作用下将沿其各点的法线方向在滑移面上向外扩展,最终使上下两块晶体沿柏氏矢量方向移动一个b大小的距离。       任一混合位错均可分解为刃型分量和螺型分量两部分,根据以上两种基本类型位错的分析,不难确定混合位错的滑移运动。 刃、螺型位错滑移的比较: ① 螺型位错可以有多个滑移面,它无论在那个方向移动都是滑移。 ② 晶体两部分的相对移动量决定于柏氏矢量的大小和方向,与位错线的移动方向无关。  螺型位错的柏氏矢量和位错线平行,原则上通过位错线的任何面都可能是滑移面,但是实际倾向于在某些特殊的晶面上滑动。如下
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