MOS 场效应晶体管 .pptVIP

* 短沟道效应引起门限电压变化(续) 对于长沟道MOS管，影响不大。但是当沟道长度L5?后，VT降低是极其明显的，如图所示。 图 5.14 * 5.7.5 狭沟道引起的门限电压VT的变化 如果沟道太窄，即W太小，那么栅极的边缘电场会引起Si衬底中的电离化，产生了附加的耗尽区，因而，增加了门限电压，如图所示。 由此可见，这些短沟道、狭沟道效应，对于工艺控制是比较敏感的。 图 5.15 * 图5.7 某一CMOS工艺条件下，NMOS阈值电压随源极-衬底电压的变化曲线 * 5.4 MOSFET的温度特性 MOSFET的温度特性主要来源于沟道中载流子的迁移率μ 和阈值电压VT随温度的变化。 载流子的迁移率随温度变化的基本特征是： T? ? μ ? 由于 所以， T? ? gm? 阈值电压VT的绝对值同样是随温度的升高而减小： T? ? ?VT?? ??VT(T)?? (2 ? 4) mV/°C ?VT?的变化与衬底的杂质浓度Ni和氧化层的厚 度tox有关： (Ni ?, tox?) ? ??VT(T)? ? * 5.5 MOSFET的噪声 MOSFET的噪声来源主要由两部分： 热噪声 (thermal noise) 闪烁噪声(flicker noise，1/f-noise) * MOSFET的噪声