发光二极管 相关知道.docVIP

发光二极管( Light Emitting Diode, LED)，是一種 \o 半導體 半導體元件。初時多用作為指示燈、顯示板等；隨著白光LED的出現，也被用作照明。它被誉为21世纪的新型光源，具有效率高，寿命长，不易破损等传统光源无法與之比較的优点。 加正向电压时，發光二極體能發出單色、不连续的光，這是 \o 電致發光 電致發光效应的一種。改变所采用的半導體材料的化学组成成分，可使發光二極體發出在近 \o 紫外線 紫外線、 \o 可見光 可見光或 \o 红外線 红外線的光。 \o 1955年 1955年，美国无线电公司（Radio Corporation of America）的鲁宾·布朗石泰（Rubin Braunstein）（1922年生）首次发现了 \o 砷化鎵 砷化鎵(GaAs)及其他半導體合金的红外放射作用。 \o 1962年 1962年， \o 通用電氣公司 通用電氣公司的尼克·何伦亚克（Nick Holonyak Jr.）（1928年生）開發出第一种实际应用的可见光发光二极管 發光二極管是一種特殊的 \o 二極管 二極管。和普通的二極管一樣，发光二极管由半导体晶片组成，这些半导体材料会预先通过注入或掺杂等工艺以产生 \o Pn结 pn结结构。与其它二极管一样，发光二极管中電流可以輕易地從p极（阳極）流向n极（負極），而相反方向則不能。兩種不同的載流子： \o 空穴 空穴和 \o 電子 電子在不同的电极电压作用下从电极流向pn结。當空穴和電子相遇而产生复合，電子會跌落到較低的能階，同时以 \o 光子 光子的方式釋放出能量。 它所發出的光的 \o 波長 波長，及其顏色，是由组成pn结的半導體物料的 \o 禁带 禁带能量所決定。由于硅和鍺是 \o 间接禁带 间接禁带材料，在这些材料中电子与空穴的复合是非辐射跃迁，此类跃迁没有释出光子，所以硅和锗二極體不能發光。發光二極體所用的材料都是 \o 直接禁带 直接禁带型的，这些禁带能量对应着近 \o 紅外線 紅外線、 \o 可見光 可見光、或近 \o 紫外線 紫外線波段的光能量。 在發展初期，採用 \o 砷化鎵 砷化鎵(GaAs)的發光二極體只能發出紅外線或紅光。隨著 \o 材料科學 材料科學的進步，人们已经制造出可發出更短波長的、各種顏色的發光二極管。 以下是傳統發光二極管所使用的无机半導體物料和所它們發光的顏色： \o 铝砷化稼 铝砷化稼(AlGaAs) - 紅色及紅外線 \o 铝磷化稼 铝磷化稼(AlGaP) - 綠色 \o Aluminium gallium indium phosphide aluminium gallium indium phosphide(AlGaInP) - 高亮度的橘紅色， 橙色，黃色，綠色 \o 磷砷化稼 磷砷化稼(GaAsP) - 紅色，橘紅色，黃色 \o 磷化稼 磷化稼(GaP) - 紅色，黃色，綠色 \o 氮化鎵 氮化鎵(GaN) - 綠色，翠綠色，藍色 \o 铟氮化稼 铟氮化稼(InGaN) - 近紫外線，藍綠色，藍色 \o 碳化硅 碳化硅(SiC) (用作衬底) - 藍色 \o 硅 硅(Si) (用作衬底) - 藍色 (開發中) \o 蓝宝石 蓝宝石(Al2O3) (用作衬底) - 藍色 \o Zinc selenide zinc selenide(ZnSe) - 藍色 \o 鑽石 鑽石(C) - 紫外線 \o 氮化鋁 氮化鋁(AlN), \o Aluminium gallium nitride aluminium gallium nitride(AlGaN) - 波長為遠至近的紫外線 ? 藍光與白光LED \o 1993年 1993年，当时在日本Nichia Corporation \o (日亞化工) (日亞化工)工作的中村修二（Shuji Nakamura）发明了基于宽禁带半导体材料氮化稼（GaN）和铟氮化稼（InGaN）的具有商業应用價值的藍光LED，这类LED在1990年代後期得到广泛应用。理論上藍光LED結合原有的紅光LED和綠光LED可产生白光，但現在的白光LED卻很少是這樣造出來的。 現時生產的白光LED大部分是通过在藍光LED(波長 450 nm 至 470 nm)上覆蓋一层淡黃色 \o 磷光體 磷光體塗層制成的，這種黃色磷光體通常是通过把摻了 \o 鈰 鈰的Yttrium Aluminum Garnet(Ce3+:YAG)晶體磨成粉末後混和在一種稠密的黏合劑中而制成的。當LED晶片發出藍光，部分藍光便會被這種晶體很高效地轉換成一個光譜較寬（光谱中心约为580nm）的主要為黃色的