第18讲第十章半导体及二极管二2011年新版.docVIP

第2篇 电子学 第10章 半导体及二极管 大纲要求：掌握二极管和稳压管特性、参数 了解载流子，扩散，漂移；PN结的形成及单向导电性 10.1 半导体的基本知识 10.2 半导体二极管 10.3 稳压二极管 10.3.1 稳压原理及特性 稳压二极管的特性曲线与普通二极管基本相似，只是稳压二极管的反向特性曲线比较陡。　　　　 稳压二极管的正常工作范围，是在伏安特性曲线上的反向电流开始突然上升的A、B段。 这一段的电流， 对于常用的小功率稳压管来讲，一般为几毫安至几十毫安。 10.3.2 主要电参数 (1) 稳定电压VZ ：在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 (2) 动态电阻rZ rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 rZ =DVZ /DIZ (3) 最大耗散功率：极限参数，取决于稳压管允许温升 (4) 最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流IZmin (5)稳定电压温度系数——aVZ 温度的变化将使VZ改变，在稳压管中当êVZ ê ＞6V时，VZ具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿。 当êVZ ê＜4 V时， VZ具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿。 当4 V＜êVZ ê ＜6 V时，稳压管可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。 例题： 例 1：二极管为硅管，其中R = 3 kW，试分别用二极管理想模型和恒压降模型求出 VDD =3V 和VDD= 10 V 时 IO 和 UO 的值。 解：VDD = 3 V 理想? ? UO = VDD = 3 V????? IO ?= VDD / R = 3 / 3 = 1 (mA) 恒压降 UO = VDD– UD(on) = 3 - 0.7 = 2.3 (V) ?????? IO ?= UO / R = 2.3 / 3= 0.77 (mA) ? ???????????????? VDD = 10V 理想??? IO = VDD / R =10 / 3 =3. 33(mA) 恒压降? UO= VDD – UD(on) ?= 10 - 0.7 = 9.3 (V)?????? IO = UO / R = 9.3 / 3 = 3. 1(mA) ? ??????????? VDD 大，采用理想模型 ；VDD 小， 采用恒压降模型 例2 ： ?试求电路中电流 I1、I2、IO 及输出电压 UO 的值。 解：假设二极管断开? UP = 15 V?????????????????????????????????????????????????? 输入电压 理想二极管 输出 电压 VA VB V1 V2 0V 0V 正偏导通 正偏导通 0V 0V 3V 正偏导通 反偏截止 0V 3V 0V 反偏截止 正偏导通 0V 3V 3V 正偏导通 正偏导通 3V 理想二极管：正偏导通，电压降为零，相当于开关闭合；反偏截止，电流为零，相当于开关断开。 恒压降模型：正偏电压 UD(on) 时导通，等效为恒压源 UD(on)；否则截止，相当于二极管支路断开。 4.在图中双向二极管限幅电路中，已知vi＝6sinωt(V)，若二极管的正向导通压降为0.7V，请分别写出输出电压vo的表达式，试画出vo的波形。 解: 对图 (a) ，当vi≥0.7V，D1 导通，D2截止，输出vo＝0.7V。 当-0.7＜vi＜0.7 V，D1 、D2均因反偏处于截止状态，输出vo＝vi＝6sinωt(V)。 当vi＜-0.7，D1 截止，D2导通， 输出vo＝-0.7 输出vo的波形见图1.5(a)。 对图1.4 (b)，用类似的方法得 当vi≥1.7，D1 导通，D2截止，vo＝1.7 V 当-1.7＜vi＜1.7，D1 、D2均因反偏截，止vo＝vi＝6sinωt(V) 当vi＜-1.7，D1 截止，D2导通，vo＝-1.7 V vo的波形见图 (b)。 5. 将两个半导体二极管背靠背连接起来，是否能构成一个半导体三极管，为什么? 解：不能。以NPN半导体三极管为例，虽然可以看成是两个背靠背的二极管，但两个二极管的正极是公用的，其连接处保持了半导体结构的连续性和完整性。公用正极的半导体层非常薄，少数载流子的渡越时间很短，只有极少部分复合掉。当把两个二极管背靠背连接起来时，少数载流子由一个二极管的负极到达其正极，还来不及到达另一个二极管的负极便全部复合掉，因而其电流放大系数将等于零，所以没有三极管放大作用这一基本功能。 6．二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止状态，并确定输出电压Vo。设二极管的导通压降为0.7V。 解：判断二极管在电路中的工作状态，常用的方法是：首先假设将要判断的二极管断开(图中