霍尔离子源原理及对薄膜的影响.pptVIP

霍尔离子源原理及应用 离子源工作原理 离子源的种类 按离子能量分为： 高能 200ev以上的 如APS、RF、考夫曼离子源； 低能 200ev以下的霍尔离子源 按类型分： 考夫曼型和霍尔型 离子源的工作原理 在真空环境下，利用发射的电子在电场和磁场的相互作用下，使充入真空室的气体产生离化，在电场和磁场的作用下发射离子。 霍尔离子源的结构原理 组成部分： 阴极---发射电子 阳极---产生离子 气路---提供离化的气体 电源 霍尔离子源结构： 考夫曼离子源的结构简图 离子源的离子能量： 对于考夫曼离子源：为阳极与栅极之间的电压 霍尔离子源：阳极电压的65~70% 两种离子源的特点： 考夫曼离子源的特点：高能低束流，能流密度较低，出射角度较小，适合于镀制较小面积的光学器件；使用成本高； 霍尔离子源的特点：低能大束流，能流密度较大，发射角也较大，适合较大面积的生产使用；使用成本低；适合于大规模生产使用。 霍尔离子源与考夫曼离子源的对照表（霍尔离子源更适合IAD） 离子源辅助镀膜（IAD）的作用： 1、填充密度提高：折射率提高 2、波长漂移减少； 3、红外波段的水气吸收减少； 4、增强了膜层的结合力、耐摩擦能力、机械强度、提高表面光洁度； 5、控制膜层的应力； 6、减少膜层的吸收和散射； 7、提高生产效率 IAD对各种材料的作用 1、氧化物 TiO2、Ta2O5、ZrO2、Nb2O5、SiO2、HfO2、Y2O3、Al2O3、CeO2、ITO等 2、氮化物 Si3N4 3、金属 Au、Ag 4、氟化物 MgF2、YF3、PrF3、YbF3 离子源对氧化物采用O2为工作气体，可以充分氧化，减少在短波的吸收，降低充氧量 氧化物在550nm的折射率情况: TiO2 2.40 Nb2O5 2.32 Ta2O5 2.16 ZrO2 2.16 HfO2 1.98 Y2O3 1.98 CeO2 2.35 ITO 2.0 SiO2 1.46 Al2O3 1.67 TiO2 PVD 基板温度 300度 n=2.2@550 柱状结构 IAD 基板不加温 V=150V,I=0.92A n=2.45@550 立方结构 TiO2应力 张应力 SiO2 PVD 多孔 易吸潮,引起光谱漂移 n=1.45 IAD n=1.46 压应力 与TiO2匹配 与离子能量有关,可以调节膜层的吸收、机械稳定性、改善膜层的应力。 Al2O3 PVD n=1.6-1.65 多孔柱状结构 IAD Al—Al2O3 n=1.65 无吸收 HfO2 UV、VIS、IR IAD n=1.98 减少膜层的非均匀性,折射率增加，光谱漂移减少 可以使用Hf材料用电子枪IAD 蒸发 Ta2O5/Nb2O5 PDV 正常情况下 不能很好工作，有较大的吸收。 IAD 下，Ta2O5的可见区吸收很小，短波线很短，n=2.16(与离子源参数有关) Nb2O5 n=2.35 与TiO2相近,折射率较稳定 ITO PVD 基片温度300度 IAD 基片不加温,面电阻20欧姆,透明,n=2.0 Y2O3 PVD 高度不均匀,无重复性 IAD 明显减少不均匀性,可重复,n=1.8-1.85 CeO2 PVD 基片温度350度,克服非均匀/无重复性 高度柱状结构多孔性容易引起湿气的吸附 IAD 基片不加温,n=2.37 300度 n=2.4 均匀性提高,可重复性提高 ZrO2 PVD 不均匀 n=1.90-1.95 多晶立方结构 IAD 均匀 Si3N4 运用于光电子产品 PVD 膜层不均匀,膜层结构缺陷 IAD n=2.0 化学组分完整,致密 无定形 AlN Au PVD 膜层的粘附力 IAD O2-工作气体 Ag 膜层粘附力,化学稳定性差 IAD O2 100ev 0.2mA/cm2 MgF2 PVD 300度 0.72-0.98 n=1.38 机械稳定性 对不能加温 IAD O2/Ar 120ev 0.4mA/cm2 吸收小于0.5% n=1.39 O2 100ev 0.2mA/cm2 吸收小于0.1% n=1.38 上海欧菲尔