2019年CMOS反相器版图设计与仿真报告.docVIP

PAGE  PAGE 20 专业集成电路基础课程设计报告 CMOS反相器版图设计与仿真报告 在此次实例设计中采用Tanner Pro 软件中的L-Edit组件设计CMOS反相器的版图，进而掌握L-Edit的基本功能和使用方法。 操作流程如下：进入L-Edit—建立新文件—环境设定—编辑组件—绘制多种图层形状—设计规则检查—修改对象—设计规则检查—电路转化—电路仿真。 一、绘制反相器版图 1）打开L-Edit程序，并将新文件另存以合适的文件名存储在一定的文件夹下：在自己的计算机上一定的位置处打开L-Edit程序，此时L-Edit自动将工作文件命名为Layout1.sdb并显示在窗口的标题栏上。而在本例中则在L-Edit文件夹中新建立“反相器版图”文件夹，并将新文件以文件名“Ex11”存与此文件夹中。如图一所示。 图  SEQ 图 \* CHINESENUM3 一打开L-Edit，并另存文件为Ex11 2）取代设定：选择File-Replace Setup命令，在弹出的对话框中单击浏览按钮，按照路径..\Samples\SPR\example1\lights.tdb找到“lights.tdb”文件，单击OK即可。此时可将lights.tdb文件的设定选择性的应用到目前编辑的文件中。如图二所示。 图  SEQ 图 \* CHINESENUM3 二 取代设定 3）编辑组件：L-Edit编辑方式是以组件（Cell）为单位而不是以文件为单位，一个文件中可以包含多个组件，而每一个组件则表示一种说明或者一种电路版图。每次打开一个新文件时便自动打开一个组件并命名为“Cell0”；也可以重命名组件名。方法是选择Cell-Rename 命令，在弹出的对话框中的Rename cell as文本框中输入符合实际电路的名称，如本设计中采用组件名“inv” 即可,之后单击OK按钮。如图三所示。 图  SEQ 图 \* CHINESENUM3 三 重命名组件为inv 4）设计环境设定：绘制布局图必须要有确实的大小，因此要绘图前先要确认或设定坐标与实际长度的关系。选择Setup-Design命令，打开Set Design对话框，在Technology选项卡中出现使用技术的名称、单位与设定。本设计中的技术单位是Lambda。而Lambda单位与内部单位Internal Unit的关系可在Technology Setup选项组中设定。此次设计设定1个Lambda为1000个Internal Unit，也设定1个Lambda等于1个Micron。如图四所示。 图  SEQ 图 \* CHINESENUM3 四 技术设定 接着选择Grid选项卡，其中包括使用格点显示设定、鼠标停格设定与坐标单位设定。此次设计设定1个显示的格点等于1个坐标单元，设定当格点距离小于8个像素时不显示；设定鼠标光标显示为Smooth类型，设定鼠标锁定的格点为0.5个坐标单位；设定1个坐标单位为1000个内部单位。如图五所示。 图  SEQ 图 \* CHINESENUM3 五 格点设定 设定结果为1个格点距离等于1个坐标单位，也等于1个Micron。 5）编辑PMOS组件：按照N Well层、P Select层、Active层、Ploy层、Mental1层、Active contact层的流程编辑PMOS组件。其中，N Well层宽为24个格点、高为15个格点，P Select层宽为18个格点、高为10个格点，Active层宽为14个格点、高为5个格点，Ploy层宽为2个格点、高为20个格点，Mental1层宽为4个格点、高为4个格点，Active contact层宽为2个格点、高为2个格点。在设计各个图层时，一定要配合设计规则检查（DRC），参照设计规则反复修改对象。这样才可以高效的设计出符合规则的版图。PMOS组件的编辑结果如图六所示。 图  SEQ 图 \* CHINESENUM3 六 PMOS组件结果图 利用L-Edit观察截面的功能来观察该布局图设计出的组件的制作流程与结果。单击命令行上的Cross-Selection按钮打开Generate Cross-Section对话框，在Process definition file文本框中输入..\Samples\SPR\example1\lights.xst文件；之后单击Pick按钮，在编辑画面选则要观察的位置，再单击OK即可。如图七所示。 图  SEQ 图 \* CHINESENUM3 七 观看各图层的生长顺序 6）新建NMOS组件：选择Cell-New命令．打开Create New Cell对话框,在其中的Cell name文本框中输入组件名“noms”，单击确定按钮即可