大连轻工硅酸盐物理化学课件12章烧结.pptVIP

第十二章 烧 结 12.1 烧结概论 二、烧结示意图 三、相关概念 四、烧结过程推动力 2、压力差 3、空位差  五、烧结模型 12.2 固态烧结 二、扩散传质 3、扩散传质途径 4、扩散传质三个阶段　　（1）初期阶段 以扩散传质为主的初期烧结中，影响因素主要有： （2）中期阶段 液相烧结模型 二、流动传质机理 2 塑性流动 三、溶解-沉淀传质机理 3、溶解-沉淀传质过程的推动力 过程1—颗粒重排 过程2—溶解-沉淀 各种传质机理分析比较 12.4 晶粒生长与二次再结晶 2、晶界移动的速率 5、晶粒生长影响因素 二、二次再结晶 2、二次再结晶的推动力 4、二次再结晶影响因素 三、晶界在烧结中的应用 12.5 影响烧结的因素 二、外加剂的作用（烧结助剂） 3、外加剂与烧结主体形成化合物 三、烧结温度和保温时间 四、盐类的选择及其煅烧条件 由于较小的颗粒在颗粒接触点处溶解，通过液相传质，而在较大的颗粒或颗粒的自由表面上沉积，从而出现晶粒长大和晶粒形状的变化，同时颗粒不断进行重排而致密化。 影响溶解-沉淀传质过程的因素有：颗粒起始粒度、粉末特性（溶解度、润湿性）、液相数量、烧结温度等。 总之，烧结体在高温下的变化是很复杂的，影响烧结体致密化的因素也是众多的，产生典型的传质方式都是有一定条件的。因此，必须对烧结全过程的各个方面（原料、粒度、粒度分布、杂质、成型条件、烧结气氛、温度时间……）都有充分的了解，才能真正掌握和控制整个烧结过程。 晶粒生长与二次再结晶过程往往与烧结中、后期的传质过程是同时进行的。 晶粒生长：无应变的材料在热处理时，平衡晶粒尺寸在不改变其分布的情况下，连续增大的过程。 初次再结晶：在已发生塑性形变的基质中出现新生的无应变晶粒的成核和长大过程。 二次再结晶：是少数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程。 晶粒生长：指细晶粒物料在高温和表面能作用下，形成多晶体，此多晶体的晶粒的增长速率均匀，并将晶粒中的气体完全排除，这种晶粒长大称为晶粒生长，也称一次再结晶。 1、界面能与晶界移动 右图表示两个晶粒之间的晶界结构，弯曲晶界两边各为一晶粒，小圆代表各个晶粒中的原子。对凸面晶粒表面A处与凹面晶粒的B处而言，曲率较大的A点自由焓高于曲率小的B点。位于A点晶粒内的原子必然有向能量低的位置跃迁的自发趋势。当A点原子到达B点 并释放出ΔG`（图14-14b）的能量后就稳定在B晶粒内，如果这种跃迁不断发生，则晶界就向着A晶粒曲率中心不断推移。导致B晶粒长大而A晶粒缩小。直至晶界平直化，界面两侧自由焓相等为止。由此可见晶粒生长是晶界移动的结果，而不是简单的晶粒之间的粘结。 一、晶粒生长 晶粒生长速率随温度成指数规律增加。温度升高和曲率半径愈小，晶界向其曲率中心移动的速率也愈快。 由许多颗粒组成的多晶体界面移动情况如图所示。从图看出大多数晶界都是弯曲的。从晶粒中心往外看，大于六条边时边界向内凹，由于凸面界面能大于凹面，因此晶界向凸面曲率中心移动。结果小于六条边的晶粒缩小，甚至消灭。而大于六条边的晶粒长大。总的结果是平均晶粒增长。 3、晶粒长大的几何学原则： （1）晶界上有晶界能的作用，因此晶粒形成一个在几何学上与肥皂泡沫相似的三维阵列。 （2）晶粒边界如果都具有基本上相同的表面张力，则界面间交角成120度，晶粒呈正六边形。实际多晶系统中多数晶粒间界面能不等。因此从一个三界汇合点延伸至另一个三界汇合点的晶界都具有一定曲率，表面张力将使晶界移向其曲率中心。 （3）在晶界上的第二相夹杂物（杂质或气泡），如果它们在烧结温度下不与主晶相形成液相，则将阻碍晶界移动。 1) 夹杂物如杂质、气孔等阻碍作用 经相当长时间的烧结后，应当从多晶材料烧结至一个单晶，但实际上由于存在第二相，夹杂物如杂质、气孔等阻碍作用使晶粒长大受到阻止。晶界移动时遇到夹杂物如图14－16所示。晶界为了通过夹杂物，界面能就被降低，降低的量正比于夹杂物的横截面积。通过障碍以后，弥补界面又要付出能量，结果使界面继续前进能力减弱，界面变得平直，晶粒生长就逐渐停止。 随着烧结的进行，气孔往往位于晶界上或三个晶粒交汇点上。气孔在晶界上是随晶界移动还是阻止晶界移动，这与晶界曲率有关，也与气孔直径、数量、气孔作为空位源向晶界扩散的速度、包围气孔的晶粒数等因素有关。 在烧结初期，晶界上气孔数目很多，此时气孔阻止晶界移动，因而Vb=0。 烧结中、后期，温度控制适当，气孔逐渐减少。可以出现Vb=Vp，此时晶界带动气孔以正常速度移动，使气孔保持在晶界上，气孔可以利用晶界作为空位传递的快速通道而迅速汇集或消失。 当烧结达到Vb(晶界移动速率 )= Vp(气孔移动速率) 时，烧结过程已接近完成。继续维持Vb=Vp，气孔易迅速排除而