第六讲：开关电源新技术.docVIP

第六讲：开关电源新技术 这里所说的新技术，是指最近20年内发展起来的技术内容，涉及开关电源的效率、动态响应、功率因数等概念。 1．1、软开关技术 开关管的损耗一直是开关变换器设计中的一个核心问题。要减小开关电源的体积，降低输出电压纹波，提高开关频率是最直接有效的方法，但开关管的损耗正是限制开关频率提高的最大原因，开关管在导通或关断状态下的损耗（称为通态损耗和断态损耗）是比较小的，但在导通和关断动作过程中的损耗（称为导通损耗和关断损耗，即开关损耗）非常大，因为在这时开关管要同时承受高电压和大电流。开关频率越高，开关损耗就越严重。要降低开关损耗就必须从控制开关管的开关过程着手，使开关管上不能同时出现高电压和大电流。传统的缓冲器（Snubber）电路（常用的电路，主要是保证开关管安全工作），能减小一些开关损耗，但程度非常有限而且又引入了缓冲电路的损耗。给出一个典型的缓冲电路的形式（图3），图中虚线框内部分为缓冲器电路。 谐振（Resonant）的方法是能够大幅度降低开关损耗的方法。谐振概念的产生比较早，广泛用于机械工业的中频感应加热炉其实就是一个利用负载产生谐振的例子。但谐振的方法用于直流变换器则是在上世纪80年代才有较大的发展，首先建立起了零电压开关ZVS（Zero Voltage Switch）和零电流开关ZCS（Zero Current Switch）的概念，其基本思路是使开关管的电压或电流与外部谐振回路产生谐振，从而使开关管可以在零电压状态导通或是在零电流状态下关断。这种方法的困难在于保证开关管的零压或零流条件（不同输电压和不同负载条件入），为解决这一问题发展了准谐振变换器QRC（Quasi Resonant Converter）的技术，也有ZVS-QRC和ZCS-QRC两类。 谐振方式的变换器最突出的优点就是极大地降低了开关损耗，使变换器的工作频率提高到了MHz量级的水平，适合在一些对体积和重量要求极为严格的场合（比如飞行器）中使用。谐振技术另一个突出的应用是移相全桥（Phase Shift Full-Bridge）的线路，该线路中，谐振概念与移相PWM控制的方法巧妙结合，消除了谐振方式固有的缺陷，因而在通信等中大功率场合被广泛采用。除此之外，谐振方式则因器件电压电流应力过大、难以保证零开关条件、难以与PWM方式配合等原因不能得到普遍应用。 上世纪90年代出现的零电压转换ZVT（Zero Voltage Transition ）和零电流转换ZCT（Zero Current Transition）技术是解决ZVS和ZCS缺陷的较好的方案。该方法是在开关管线路中增加辅助开关管和有关线路，在主开关管开关动作前，通过控制辅助管的开关来为主开关管创造零电压或零电流的条件。这样不仅非常便于与PWM技术相配合，而且消除了零开关条件对输入电压、负载等的依赖，因此是一种适于各类开关线路和场合的方法。缺点是线路较为复杂，成本高。目前尚较少使用。 1．2、同步整流技术 同步整流SR（Synchronous Rectification）技术的起因与目的很简单，就是降低输出整流管的损耗。这对于低电压输出的变换器非常有意义。通常在5V或更低电压输出的变换器中，输出整流管的损耗会是变换器损耗中的主要成分。与开关管不同，整流管的损耗主要是通态损耗。所以要降低整流损耗只能降低整流管上的导通压降，一般快恢复二极管FRD（Fast Recovery Diode）的工作压降有1V左右，肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode）约有0.6V，对于低电压的输出，整流压降在输出电压中的比例很高，大大降低了变换器的效率(图4)。随着MOSFET（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor金属氧化物半导体场效应晶体管）工艺的不断进步，MOSFET的通态电阻Rds（on）不断降低，同步整流的概念就被提出来，即使用MOSFET作开关来替代整流管。因为MOSFET需要一个与开关管同步的控制信号来控制开关状态才能实现整流的功能，因此这种方式被称为同步整流。目前低压MOSFET的通态电阻已经低于10mΩ，已经比SBD有很多的优势（图5）。 1．3、多相变换器技术 多相变换器（Multiphase Converter）的概念是大约5年前提出的，针对的应用场合就是微处理器类的负载，因为该类负载对电源的动态响应、纹波的要求非常严格。要满足这样的要求，电源需要工作在非常高的频率，但开关器件的开关速度和损耗成为难以解决的问题。这种情况下，多相变换器的概念应运而生，即采用多个变换器并联的拓扑结构，在开关信号上作统一控制，实现几个变换器在一个完整周期内轮流交替运行，这样，开关损耗被几个变换器分担，而开关频率