半导体湿法腐蚀学习总结.pptVIP

湿法腐蚀学习总结 主要内容 学习计划 学习内容 工艺原理及条件 生产前准备 生产时要求 产品自检 坚膜打胶 小结 学习计划 学习时间：10.16-10.31 学习纲要： 学习目标： 全面了解湿法腐蚀相关规范及注意事项； 全面了解湿法腐蚀常见异常及处理手法； 提升和完善湿法腐蚀工艺稳定性； 学习内容 内容：半导体湿法腐蚀清洗工艺 定义：通过化学溶液于被蚀刻物质之间的化学反应，来去除表面的原子。 分类：湿法清洗、湿法刻蚀； 湿法清洗：利用化学溶液结合物理方法对产品表面的杂质进行清除； 湿法刻蚀：利用化学溶液的腐蚀机理对产品进行侵蚀硅片表面多余部分； 基本流程： 名称 机理 作用对象 目的 工序 湿法清洗 溶解、清洗 产品表面杂质（有机物、金属离子等） 保持硅片表面洁净 超声波清洗、金属后去胶、H2SO4/HF清洗 湿法腐蚀 腐蚀、碳化 产品多余部分结构（Al层、二氧化硅层、光刻胶等） 利用光刻胶的阻挡作用，腐蚀阻挡层外的多余结构 BOE清洗、B(P)SG清洗、金属前去胶、Al腐蚀、PAD清洗、漂硅点 准备 工艺卫生，产品，流程单，液位 腐蚀清洗 去除产品表面多余物质 冲水 冲洗表面腐蚀清洗残留物 旋干 去除硅片表面的水珠 检验 检查产品是否达到预期目标 工艺原理及条件 工艺条件及原理： 工序名称 药液配比 工艺温度 工艺时间 工艺原理 超声波清洗 NH4OH/H2O2/H2O=0.25/1/5(体积比1.2L/4.8L/24L) 65±5℃ 5min 利用超声波空化作用、H2O2强氧化性及氨水挥发性处理硅片表面存在颗粒及有机物，避免对制程造成影响； BOE腐蚀 NH4HF/H2O=6/1，（总体积：24L）； 22±1℃ 按产品需求及刻蚀速率进行控制； 利用氢氟酸的强还原性去除硅片表面多余的磷硅玻璃、硼硅玻璃及二氧化硅层，冲水旋干后为下一道工序做准备； Al腐蚀 Al腐蚀液（磷酸、冰乙酸、硝酸按一定比例混合） 45±1℃ 按产品Al层厚度及刻蚀速率进行控制 利用氧化还原反应原理，氢离子与Al反应生成氢气，利用冰乙酸水解原理补充氢离子，实现对腐蚀速率的缓解作用，实现Al的可控腐蚀； PAD腐蚀 PAD腐蚀液（冰乙酸、氟化铵按一定比例混合）/冰乙酸=5:1 22±1℃ 2min40s 利用氟离子的强还原性腐蚀钝化层，利用冰乙酸水解补充氢离子，实现对刻蚀速率的缓解控制作用； 工艺原理及条件 工艺条件及原理： 工序名称 药液配比 工艺温度 工艺时间 工艺原理 金属前去胶 H2SO4/H2O2=8：1 120℃ 30min 利用浓硫酸对有机物的脱水效果及过氧化氢的强氧化性将光刻胶碳化后生成二氧化碳进行去除 金属后去胶 正胶剥离液 85±5℃ 2hours 利用胺类物质对酚类物质的溶解性去除产品表面的光刻胶掩层 酸清洗 H2SO4/H2O=5:1 HF/H2O=1：50 H2SO4：120±5℃ HF: 20±1℃ H2SO4：10min HF: 6min 利用浓H2SO4的脱水效果去除表面有机物成分，利用HF强还原性去除表面氧化薄层 坚膜 --- 125℃ 50min 利用一定温度对表面光刻胶进行烘焙，挥发残留光刻胶溶剂，提高光刻胶粘附性及抗腐蚀能力 打胶 --- --- 5min 利用高速等离子体轰击光刻胶表面，去除浅层已固化光刻胶 生产前准备 生产前准备： 1.按无尘车间要求进行工作服穿戴，进入车间，并完成接班内容，穿戴好防酸手套、袖筒及防酸裙； 2.使用无水乙醇清洁工作岗位台面，货架及机台表面； 3.检查药槽及水槽液位是否达到要求，如不满需补满（药槽按初配比补加），检查水压是否达标，如有异常通知站长； 4.配合QC完成机台Particle量测，量测合格开始准备生产； 5.坚膜、打胶工序每日早班需量测打胶速率是否达标，如不达标则及时通知工艺； 6.BOE、Al腐蚀及PAD腐蚀工序每周一、五需测量腐蚀速率是否达标，如有异常及时通知工艺； 7.生产前需对产品进行试片，试片OK后方可生产； 各项指标要求： Particle指标：0.3µmPadic变化小于30; 打胶速率：使用512光刻胶，坚膜50min，打胶5min，胶厚变化50-120A/分钟； BOE腐蚀速率：1050±50A/分钟； 钝化腐蚀速率：4800-6000A/分钟； 生产时要求 湿法腐蚀生产要求： 1.做片前，需仔细查看流程单，按要求设定工艺条件，再次确认槽体液位及水槽是否满，待温度稳定后方可投片，坚膜超过8小时需重新坚膜打胶； 2.金属前去胶工位每次生产需补加100mlH2O2，需在投片前量取好； 3.BOE腐蚀工位，需先在水槽进行浸润，悬空2-3秒才可浸入药槽，以减少带入药槽的水； 4.硅片浸入药槽时需DIP5-8次，DIP时不能提出液面，保证硅片与药液的完全接触后，开