晶体三极管及其放大电路基础.docVIP

第二章 晶体三极管及其放大电路基础 简述三极管制作的结构特点？ 答：基区：很薄且杂质浓度很低；发射区：杂质浓度很高；集电区：面积很大，但杂质浓度远远小于发射区的杂质浓度 简述三极管的放大原理。 答： 1、三极管有三个级：发射极E、集电极C、基极B 有三个区：发射区、集电区、基区 有两个结：发射结、集电结 2、三极管用于放大时，首先保证发射结正偏、集电结反偏。 3、分析以NPN型硅三极管为例： ( 1)、BJT内部的载流子传输过程： 因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ IEN 。 发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到空穴后复合掉，形成IBN。所以基极电流I B ≈ IBN 。大部分到达了集电区的边缘。 因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子（漂移运动），形成电流ICN 。另外，集电结区的少子形成漂移电流ICBO（很小），所以IC≈ICN （2）、BJT的放大： 集电极电流受基极电流的控制（假设电源 能够提供给集电极足够大的电流的话）：基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：IC= βIB 即电流变化被放大了倍， (β叫做三极管的放大倍数,一般远大于1）。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了IC很大的变化。如果集电极电流IC是流过一个电阻RC的，那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。 如何理解三极管是电流控制的有源器件？ 答：这要从三极管的电流放大和开关特性说起!半导体三极管的结构是在 硅片的基区上形成相邻的集电结和发射结!这两个结的电流导通必需通过基区!这有点像两根水管中间要通过一层滤网或是 闸门!基区的网栅密度或 闸门开闭控制着集,射极间的 电流强度!三极管的基区 空穴密度取决于所加电位!而 空穴密度又决定着该结的厚度!这个厚度又决定了其导电强度!这就决定了集,射间的电流强度!三极管的三个极电压是基极很低! 集电极很高! 发射极是 公共端!我们在基极和 发射极间控制一个小电位的变化或通断!就能间接地控制 集电极和 发射极间的大电流(高电位)变化或是通断!这就是三极管是电 流控制的 有源器件的原理 4、 5、 6、画出题图2-3中所示的各电路的直流通路、交流通路。设图中各电容的容抗可忽略。 7．在题图2-3（a）中，设Rb1=50k?，Rb2=10k?，Rc=3k?，Re=1k?，RL=8?，C1=C2=Ce=10μF，β=50，Vcc=12V,用估算法求该电路的静态工作点（IBQ、ICQ、VCEQ）。三极管为硅管（VBE=0.7V）。 在题图2-3（b）中，设Rb1=150k?，Rb2=150k?，Rc=3k?，Re=1k?，RL=8?，C1=C2=10μF，β=50，Vcc=10V,用估算法求该电路的静态工作点（IBQ、ICQ、VCEQ）。三极管为锗管（VBE=0.2V）。 解：（a） = 2V； = 1.3mA； = 25.5μA； = 6.8V。 （b）=28μA； =1.4 mA； = 4.4V。 8、解： (1) (2) ； (3) 最大不失真输出电压幅值 (4) 截止失真、会使失真情况进一步恶化。 (5) 饱和失真、会使失真情况有所改善 9. 解：求Q点： 斜率为： 10、放大电路如题图2-6所示，求电路： （1）静态工作点Q； （2）画出电路的h参数小信号等效电路； （3）三极管的输入电阻rbe； （4）电路的电压增益Av 、Avs、输入电阻Ri 、输出电阻Ro。 （5）对于共发射极电路，有无电压放大作用？有无电流放大作用？输入、输出电压的极性是否一致？输入电阻和输出电阻的特点是什么？共发射极电路，在电路中一般适合做什么类型的电路？ 解： （1）=18.5μA； =1.85mA； =2.6V （2）h参数小信号等效电路： （3）三极管的输入电阻=1619Ω. （4）电路的电压增益Av 、Avs、输入电阻Ri 、输出电阻Ro = -41 = -31 =1.6KΩ； =2KΩ （5）共射极放大电路既有电压放大作用，又有电流放大作用；输入、输出极性相反；输入电阻较