节能推动下功率场繁荣的最大受益者.docVIP

PAGE 4 PAGE 4 华微电子（600360.SH）调研简报 ——节能推动下功率市场繁荣的最大受益者 公司基本情况(人民币) 项 目 2006 2007 2008 2009E 2010E 2011E 摊薄每股收益(元) 0.510 0.607 0.107 净利润增长率 34.45% 31.50% -64.69% 市场EPS预测均值(元) N/A N/A N/A 0.048 0.246 0.338 市盈率(倍) 28.92 37.76 32.50 行业优化市盈率(倍) 28.08 56.85 20.09 44.38 44.38 N/A 市场优化市盈率(倍) 25.86 45.72 15.55 29.70 29.70 N/A 股息率 N/A N/A N/A PE/G(倍) 0.84 1.20 N/A 净资产收益率 14.02% 11.10% 3.77% 每股净资产(元) 3.64 5.47 2.84 市净率(倍) 4.05 4.19 1.23 每股经营性现金流(元) 0.28 0.76 0.38 已上市流通A股(百万股) 125.00 151.22 337.09 总股本(百万股) 236.00 260.80 521.60 投资要点： 我们建议从战略角度来看待中国IGBT行业的投资机会。我们认为中国IGBT市场未来五年将保持复合25%以上增速增长，市场容量由09年35亿元成长至100亿元。而未来本土企业的技术创新突破推动中国IGBT市场出现“进口替代”的现象，从而凸显本土企业的投资价值。 节能减排、低碳经济，这意味着未来提高能效成为经济发展的首要因素，这无疑推动功率市场加速繁荣。而IGBT是功率器件的大势所趋，成为投资首选。 IGBT正处在发展初期，技术的成熟与应用领域的壮大推动IGBT市场高成长。我国智能电网、高铁建设与家电节能领域成为IGBT市场成长的主体。 我们认为我国IGBT产业已经初具规模，同时拥有本土市场优势（智能电网建设、高铁建设与全球最大的家电制造基础），这有利于本土企业获得更好的成长。 我们认为2010年将是华微电子基本面发生改变的第一年，随着功率市场繁荣，华微电子未来业绩将获得高速的增长。而以IGBT为代表的新一代功率器件的突破更提升其投资价值，成为目前功率器件投资最佳标的。 1、技术突破：目前公司6寸MOSFET生产线已经获得良好的技术突破，已经能够生产出1200V/35A的IGBT器件，产量约为4000片/月，若算上VDMOS/D-MOS产品，该生产线月产已达10000片。 2、模式转变：由代工企业转变为自销企业。这有利于企业更直接分享中国功率市场繁荣，提升企业的发展空间与竞争力。 3、业绩反转：传统业务借助家电内需、节能灯市场繁荣而加速复苏。麦吉柯厂随着自销市场开拓提升其收入增长与利润增长。IGBT等中高端功率器件量产带来业绩增量。 我们预测华微电子2010年~2012年EPS分别为0.26、0.40与0.57元。未来业绩仍有超预期可能。建议投资者积极配置。 一、行业需求分析 未来功率器件市场将保持快速增长态势，特别是IGBT市场需求高速成长是行业投资逻辑立足点。这是因为： 节能减排、低碳经济凸显功率管理的作用，从而带动功率器件市场成长，特别是IGBT等中高端功率器件。 智能电网建设与高铁建设推动中国大功率器件市场需求增长，而家电节能（变频空调渗透率仅15%，变频冰箱仅10%，变频洗衣机几乎为零）又是未来功率器件市场另一个重要需求。 本土化市场优势成为本土企业发展的重要保障 因此，我国功率器件市场将保持快速增长态势。 2002-2011 2002-2011年中国MOSFET市场需求额 2002-2011年中国MOSFET市场需求量 单位：亿只 单位：亿元 二、公司竞争力分析 华微电子的主业突出（对比，其重要竞争对手—无锡华晶同时从事集成电路制造），而且市场占用率高，其竞争优势有两部分：“中国人力资源（劳力成本较低）+规模大（摊低了生产成本）+大客户直销模式（减少销集成本）”构成的低价优势，和“自主设计制造（近于IDM）贴近客户需求+技术水平较高不断提升产品层次（从4’到5’到6’，扩展MOSFET）”的品质优势。概言之，静态地看是“ 要分析里面的逻辑，尝试对它们之间的关系进行分析。由下图可以看到，“大客户直销+自主设计（近于IDM）”对于华微电子确立竞争优势非常重要，其结果是成本较低，服务到位。 大客户直销 大客户直销 市场份额大 自主设计（IDM） 产品低价优势 产品品质优势 低人力成本 国内企业之间的竞争 与国际厂商的竞争 有利于 有利于 而这几年公司逐步完善功率器件的封装能力，分别在无锡、深圳以及吉林建设封装厂。制造链完善进一步增加华微电子在功率器件市场的竞争力。 无锡吉华与