第4章半导体中载流子的统计分布.docVIP

第4章 半导体中载流子的统计分布 在一定温度下，并且没有其它外界作用时，半导体的自由电子和自由空穴是依靠电子的热激发作用而产生的。一方面对于理想半导体材料，电子从价带跃迁到导带。对于掺杂半导体，从价带跃迁到导带外，还有电子从施主能级跃迁到导带，电子从价带跃迁到受主能级。电离能。同时，电子从高的能量状态跃迁到低的能量状态，并向晶格放出一定的能量，使导带中的电子和价带中的空穴不断减少。成为载流子的复合。在一定温度下，这两个相反的过程达到动态平衡，成为热平衡状态。半导体中的自由电子和空穴的浓度保持一个稳定值。实际上半导体的导电状态强烈的依赖于温度的变化。要深入了解半导体的导电性及其它许多性能，必须知道半导体中载流子浓度分布以及随温度的变化规律。 第一：允许的量子态按能量如何分布；第二：电子在允许的量子态中的分布几率。 k空间中量子态的分布： Z和E的关系 g（E）=dZ/dE；g（E）：状态密度，在能带中能量为E附近每单位能量间隔内的量子态数。 k空间中，波矢k不能取任意值，k的允许值为： kx = nx/L （nx=0，±1，±2,…）ky= ny/L ；kz= nz/L L3 = V: 晶体体积; 任一个代表点,沿三条坐标方向均为1/L的整数倍, 所以代表点在k空间是均匀分布的,每个代表点均和体积为1/V的立方体相连系, 也就是,在k空间中,体积为1/V的立方体中有一个代表点, k空间中代表点的密度为V, 也就是说,在k空间中,电子允许能量状态密度是V, 计入电子自旋, k空间允许的量子态密度是2V. 2N, N:单位体积的物理学原胞数目. 2. 状态密度 dZ=2V×4πk2dk k空间中电子允许的能量状态密度。 导带底附近：E（k）=Ec+h2k2/2mn* h：普朗克常数 6.626x10-34J/s k=（2 mn*）1/2（E- Ec）1/2/h kdk= mn* dE/ h2 将上两式代入dZ得 P52 gc（E）= dZ/ dE=4πV（2 mn*）3/2/ h3·（E- Ec）1/2 (3-5) gv（E）= dZ/ dE=4πV（2 mp*）3/2/ h3·（Ev- E）1/2 (3-5) 导带底附近单位能量间隔内的量子态数目，随着电子的能量增加按抛物线关系增大。电子能量越高，状态密度越大。 费米能级和载流子的统计分布 半导体中电子的数目是非常多的,Si :5×1022个/cm3; 电子数目4×5×1022个/cm3费米分布函数：量子统计理论:对于能量为E的一个量子态被电子占据的几率 ?（E）=1/（1+e（E-EF/k0T）） EF：费米能级，系统的化学势，与温度，半导体的导电类型、杂质的含量有关。 绝对零度：E＜EF，?（E）=1 E＞EF，?（E）=0 T＞0K时, E＜EF，?（E）＞1/2; E=EF，?（E）=1/2; E＞EF，?（E）＜1/2 T常温时：E- EF＞5k0T时， ?（E）＜0.007 130meV E- EF＜-5k0T时，?（E）＞0.993 K：波尔兹曼常数 8.62×10-5eV/度。300K=0.026eV （2）玻耳兹曼分布函数 当E-EF 》k0T时，e（E-EF/k0T）远大于1; 1+e（E-EF/k0T）≈e（E-EF/k0T） 费米分布函数：?B（E）= e-（E-EF/k0T）= e EF/ k0T·e -E /k0T =A e -E /k0T ，A= e EF/ k0T 电子的玻耳兹曼分布函数电子占据能量为E的量子态的几率由指数因子e -E /k0T 决定。 导带底被电子占据的几率：?（Ec）= e-（Ec-EF/k0T） 量子态被空穴占据的几率为 ?（E）=1/（1+e（EF - E /k0T））=B e E /k0T，B= e -EF/ k0T 价带顶被空穴占据的几率：?（Ev）= e（Ev-EF/k0T） 导带中绝大部分电子分布在导带底附近; 价带中绝大部分空穴分布在价带顶附近. （3）导带中电子浓度和价带中的空穴浓度。 P56 dN= ?B（E）gc（E）dE =4πV（2 mn*）3/2/ h3·e（-E-EF/k0T）（E- Ec）1/2dE () dn=dN/V P57 n0=2（2πmn* k0T）3/2/ h3·e（- Ec-EF/k0T） (3-17) 令NC=2（2πmn* k0T）3/2/ h3， 导带有效状态密度 n0=NC·e（- Ec-EF/k0T） P54 ?（EC）= e（- Ec-EF/k0T），电子占据能量为Ec的量子态的几率。