第2章场效应管及其放大电路.pptVIP

§ 1.4 场效应管（Field Effect Transistor） 1.4.1 结型场效应管 2、结型场效应管（JFET)的工作原理 ② VDS对沟道的控制作用 综上分析可知 3、结型场效应管（JFET)的特性曲线及参数 结型场效应管的缺点： 1.4.2 绝缘栅场效应管 增强型MOS场效应管 二、N沟道增强型MOS场效应管工作原理 漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 三、N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 耗尽型MOS场效应管 二、N沟道耗尽型MOS场效应管工作原理 三、N沟道耗尽型MOS场效应管特性曲线 各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线 1.4.3 场效应管的主要参数（P50） 图 场效应管的符号及特性P49 1.4.4 场效应管与晶体管三极管的比较 场效应管 晶体三极管 单极性：多子 双极型：多子和少子 压控型 流控型 Ri很大 Ri较小 跨导较小 β大 JFET的d,s可互换 c,e互换β很小 温度稳定性好 温度稳定性差 可作压控电阻 复合管：（1）各管的电流方向不矛盾、工作在放大区 P123 （2）β=β1β2 （3）等效管子的类型与第一只管子的类型相同 2.7 场效应管放大电路 2.7.2 场效应管放大电路的静态设置 解析法 已知电流方程及各自电路的栅源电压方程，联立求解即可求得工作点。例如： 场效应管的共源极放大电路 2.7.3 场效应管放大电路的动态分析 场效应管的微变等效电路 动态分析 2.7.4 共漏放大电路——源极输出器 动态分析 场效应管放大电路特点 2.7.1 场效应管的三种接法 共源放大电路——*** 共漏放大电路——*** 共栅放大电路 场效应管偏置电路 与晶体管放大器相似，静态工作点的设置对放大器的性能至关重要。在场效应管放大器中，由于结型场效应管与耗尽型MOS场效应管uGS=0时，iD≠0，故可采用自偏压方式。而对于增强型MOSFET，则一定要采用分压式偏置或混合偏置方式。 我们可以用两种办法确定直流工作点，一种是图解法，另一种是解析法。 图 场效应管偏置方式 (a)自偏压方式； (b)分压式偏置方式 VDD=20V uo RS ui CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL 150k 50k 1M 10k 10k g d s 10k (a) (b) 将式(b)代入式(a)，解一个iD的二次方程，有两个根，舍去不合理的一个根，留下合理的一个根便是IDQ。 VDD=20V uo RS ui CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL 150k 50k 1M 10k 10k g d s 10k 场效应管的微变等效电路 g s d 跨导 漏极输出电阻 uGS iD uDS 很大， 可忽略。 g s d uGS iD uDS s g d ugs gmugs uds s g d rDS ugs gmugs uds uo UDD=20V RS ui CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL 150k 50k 1M 10k 10k g d s 10k s g R2 R1 RG RL d RL RD 微变等效电路 s g R2 R1 RG RL d RL RD Ro=RD=10k? uo +UDD RS ui C1 R1 RG R2 RL 150k 50k 1M 10k d s C2 g uo +UDD RS ui C1 R1 RG R2 RL 150k 50k 1M 10k C2 Ri Ro g R2 R1 RG s d RL RS 微变等效电路 uo +UDD RS ui C1 R1 RG R2 RL 150k 50k 1M 10k d s C2 g 输入电阻 Ri Ri Ro g R2 R1 RG s d RL RS 微变等效电路 输出电阻 Ro 加压求流法 Ro g R2 R1 RG s d RS 微变等效电路 // RS (1) 场效应管放大器输入电阻很大。 (2) 场效应管共源极放大器(漏极输出)输入输出反相，电压放大倍数大于1；输出电阻=RD。 (3) 场效应管源极跟随器输入输出同相，电压放大倍数小于1且约等于1；输出电阻小。 不要求 增强型N沟道MOSFET在uGS=