第3章光电式传感器2.pptVIP

②电源电压E一定。 比较负载线NM和NM″, 分以下两种情况讨论: (a)照度Eν不大时,由图可见,当照度由Eν=0变至Eν′时,对应于负载线NM″的电压变化为OB″;对应于负载线NM的电压变化为CB。 (b)照度Eν足够大时,对应于照度Eν的光电三极管的电压都为零(M和M″点的电压)。 * ③求极限情况下的电导和电压变化。 Pmax=IU为常数，把渐近线作为坐标轴时,其切线在坐标系内的长度NM也为切点Q所平分,即QN=QM。 * 故可求得 如果照度变化足够大,即从零变至Ev,则电压变化为 * 为A点的暗电流 实际运用GL远比求得的小,这是因为:①电导过大有可能使光电流超过其允许值;②比较图中的负载线NM、NM′可见,它们的电压相差(OB和OB′之差)不大,而光电流显著减小(从OM减小到OM′);③由于照度波动,实际照度有可能达不到Ev。照度变化不大时,电导较小,能得到较大的电压变化。 最后应指出,由于生产实际的复杂性和光电三极管参数的分散性,在算出参数后,还需经过实际调整和修正,以使参数和电路更加合理。 * 3.5.5 光电池 光电池的工作原理是基于光生伏特效应的。光电池的种类很多,有硒光电池、氧化亚铜光电池、锗光电池、硅光电池、砷化镓光电池等。其中硅光电池的光电转换效率高,寿命长,价格便宜,适合红外波长工作,是最受重视的光电池。 * 1.光电池工作原理 ?硅光电池是在N型硅片中掺入P型杂质形成一个大面积的PN结。光电池的结构类似于光电二极管,区别在于硅光电池用的衬底材料的电阻率低,约为0.1~0.01Ω·cm,而硅光电二极管衬底材料的电阻率约为1000Ω·cm。上电极为栅状受光电极,下电极为衬底铝电极。栅状电极能减少电极与光敏面的接触电阻,增加透光面积。其上还蒸镀抗反射膜,既减少反射损失,又对光电池起保护作用。 * 图3.46 硅光电池电原理图 * 当光照射到PN结上时,如果在两电极间串接负载电阻,则电路中便产生了电流。 2.光电池的基本特性 1)光谱特性 光电池的光谱特性如图，不同材料的光电池,峰值波长不同。 * 2)光照特性 ?硅光电池的光照特性,硅光电池的短路电流与光照有较好的线性关系,而开路(负载电阻RL趋于无限大时)电压与照度的关系是非线性的（呈对数关系）, 在光照度2000lx时就趋向饱和了。 * 因此,光电池作为测量元件使用时,应利用短路电流与照度有较好线性关系的特点,可当作电流源使用,而不宜当作电压源使用。所谓短路电流是指外接负载电阻远小于光电池内阻时的电流。由图可知,负载越小,光电流与照度之间的线性关系越好,而且线性范围越宽。 * 3) 频率特性 光电池的频率特性是指相对输出电流与光的调制频率之间的关系。所谓相对输出电流是指高频输出电流与低频最大输出电流之比。在光电池作为测量、计算、接收器件时,常用调制光作为输入。由图可知硅光电池具有较高的频率响应。因此,在高速计数的光电转换中一般采用硅光电池。 * 4) 温度特性 光电池的温度特性是指开路电压Uoc和短路电流Isc随温度变化的关系。由图可知,开路电压随温度上升下降很快,但短路电流随温度的变化较慢。 温度特性影响应用光电池的仪器设备的温度漂移,以及测量精度或控制精度等重要指标。当其用作测量器件时,最好能保持温度恒定或采取温度补偿措施。 * 5) 伏安特性 右图画出了硅光电池在受光面积为1cm2的伏安特性曲线。负载线（如0.5kΩ）与某一照度(如900lx)下的伏安特性曲线相交于一点(如A),该点(A)在I和U轴上的投影即为在该照度（900lx)和该负载（0.5kΩ）时的输出电流和电压。 * 图中伏安特性曲线是在受光面积为1cm2的情况下得到的。如果受光面积不是1cm2,则光电流的大小应作相应改变。另外,由于不同光源频谱不同,当光源的种类不同(例如太阳光、白炽灯、萤光灯等)时,即使照度相同,光电池的输出也不相同,输出与照度成比例的范围(或最大照度)亦有区别。 6) 稳定性 当光电池密封良好、电极引线可靠、应用合理时,光电池的性能是相当稳定