第四章+主存储器.pptVIP

“读”操作 CPU需要把信息字的地址送到AR，经地址总线送往主存储器。同时，CPU应用控制线(read)发一个“读”请求。 此后，CPU等待从主存储器发来的回答信号，通知CPU“读”操作完成。主存储器通过ready线做出回答，若ready信号为“1”，说明存储字的内容已经读出，并放在数据总线上，送入DR。这时，“取”数操作完成。 “写”操作 CPU先将信息字在主存中的地址经AR送地址总线，并将信息字送DR。同时，发出“写”命令。 此后，CPU等待写操作完成信号。主存储器从数据总线接收到信息字并按地址总线指定的地址存储，然后经ready控制线发回存储器操作完成信号。这时，“存”数操作完成。 从以上讨论可见，CPU与主存之间采取异步工作方式，以ready信号表示一次访存操作的结束。 4.5 读/写存储器(即随机存储器(RAM)) 半导体读/写存储器按存储元件在运行中能否长时间保存信息来分，有静态存储器和动态存储器两种。 前者利用双稳态触发器来保存信息，只要不断电，信息是不会丢失的；动态存储器利用MOS电容存储电荷来保存信息，使用时需不断给电容充电才能使信息保持。 静态存储器的集成度低，但功耗较大(cache)；动态存储器的集成度高，功耗小，它主要用于大容量存储器(主存)。 1. 静态存储器(SRAM) (1) 存储单元和存储器 图4.2是MOS静态存储器的存储单元的线路。 图