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第三章 固体中的电子
(Electrons in Solids);§3.1 固体的能带 (Energy Bands in Solids);晶体结构=点阵+基元;晶格衍射图样;周期性势场和电子的共有化;先看两个原子的情况;?各原子间的相互作用?原来孤立原子的能级发生分裂;?能带的宽度记作 ?E,?E ~eV 的量级;原子间的相互作用 ? 原子能级分裂成能带;⒉电子对能带的填充;能带理论指出:若电子处于未被填满的能带中,则在外电场作用下,电子可以跃入能带中较高的空能级,从而参与导电.;禁带;⒊能带论对固体导电性的解释;; ⑵半导体中,价带已满,但上面的禁带宽度较小(~1eV),在常温下有一定数量的电子从价带跃入上方的空带,能参与导电。但导电电子数密度(~1016/m3)远小于导体中的值(~1028/m3) ? 导电性能不及导体。;; ⑶绝缘体中,价带已满,且上面的禁带宽度较大(~5eV)。在常温下只有极少数电子能从价带跃入上方的空带 ? 导电电子数密度极小 ? 导电性能很差。;;§3.2 半导体 (Semiconductors);;⒉杂质的影响; 掺入施主杂质后, 在价带上面的禁带中靠近导带(?E~10-2eV)处, 出现杂质能级——施主能级.; 常温下,施主能级上的电子很容易跃入导带,相对说来,从价带跃入导带的电子数很少 ? 导带中的电子数远多于价带中的空穴数 ? 在N型半导体中,电子是多数载流子(majority carrier,简称多子),而空穴是少数载流子(minority carrier,简称少子).;⑵空穴型(P型)半导体;常温下;3.1 半导体的掺杂性—Si为例;⒊外场的影响;;⑵光激发;;⒋ PN结 (PN junction);;;;⒈ 固体的能带;⑶外场(热、光)对导电性的影响;⒈本征半导体中参与导电的载流子是电子与空穴, N型半导体中参与导电的载流子是????????, P型半导体中参与导电的载流子是????????. ;⒉在4价元素半导体中掺入5价杂质,则可构成????????型半导体,参与导电的载流子多数是????????;相反,若掺入3价杂质,则可构成????????型半导体,参与导电的载流子多数是????????. ;⒊N型半导体中杂质原子所形成的局部能级(施主能级),在能带结构中应处于
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