硅外延层电阻率的控制31.pptVIP

5－3 硅外延层电阻率的控制 不同器件对外延层的电参数要求是不同的， 通常VLSI要求：在重掺杂的衬底（1019-1021cm-3）上生长一层轻掺杂（1014-1017cm-3）的外延层 CMOS器件要求：衬底均匀掺杂 双极型IC要求：衬底中有埋层（轻掺杂的衬底中扩散有重掺杂的隔离区域） 这就需要在外延生长过程中，精确控制外延层中的杂质浓度和分布来解决 5-3-2 外延中杂质的再分布 外延层中含有和衬底中的杂质不同类型的杂质，或者是同一种类型的杂质，但是其浓度不同。 通常希望外延层和衬底之间界面处的掺杂浓度梯度很陡，但是由于外延生长是在高温下进行，衬底中及其他部分的杂质会进入外延层，使得外延层和衬底之间界面处的杂质浓度梯度变平 只考虑衬底中杂质扩散进入外延层时：N（x,t）=N1（x,t） ±N2（x,t） N1为衬底中杂质在外延层中的分布 常规外延生长时，相当于一个恒定界面浓度杂质源的余误差分布 N2为掺入杂质Nf在外延层中的分布 5-3-1 外延层中的杂质及掺杂 1.外延层中的杂质 外延层中杂质来源很多，总的载流子浓度N总可以表示为：N总＝N衬底?N气?N邻片?N扩散?N基座?N系统 N衬底：衬底中挥发出来的杂质掺入外延层中的杂质浓度 分量 N气：外延层中来自混合气体的杂质浓度分量 N邻片：外延层中来自相邻衬底的杂质浓