第3章+晶体缺陷(1)-点缺陷.pptVIP

第三章 晶体缺陷 引 言 晶体缺陷概述及类型 第一节 点缺陷 第二节 位错-线缺陷 第三节 表面及界面 一、晶体的特征 晶体结构的基本特征：原子（或分子、离子）在三维空间呈周期性重复排列，即存在长程有序。 性能上两大特点：固定的熔点， 各向异性。 周期性、方向性。 引言 晶体缺陷的类型 二、晶体缺陷的含义 晶体点阵结构中周期性势场的畸变； 实际晶体中与理想的点阵结构发生偏差的区域。 理想晶体：质点严格按照空间点阵排列。 实际晶体：存在着各种各样的结构的不完整性。 对晶体的周期性和方向性而言，它的缺陷十分活跃，状态易受外界条件的影响（如温度、载荷、辐射等）而变化。 三、晶体缺陷的类型 （1）按几何形态分类： 点缺陷（在三维空间各方向上尺寸都很小，亦称为零维缺陷 ，如空位、间隙原子和异类原子等 ）； 线缺陷（在两个方向上尺寸很小，主要是位错 ）； 面缺陷（在空间的一个方向上尺寸很小，另外两个方向上尺寸较大的缺陷，如晶界、相界等 ）。 （2）按形成原因分类： 热缺陷； 杂质缺陷； 非化学计量缺陷等。 图3-1 晶体中的点缺陷 (a)空位 (b)杂质质点 (c)间隙质点 图3-2 线缺陷 (a) 刃位错 (b)螺位错 (a) (b) 图3-3　面缺陷－晶界 图3-4 面缺陷－堆积层错面心立方晶体中的抽出型层错(a)和插入型层错(b) 图3-5　面缺陷－共格晶面面心立方晶体中{111}面反映孪晶 左图：陶瓷粉体 右图：烧结后的陶瓷 点缺陷的存在，可以提高扩散系数，促进陶瓷烧结； 面缺陷，陶瓷晶粒间的界面。 第一节 点缺陷 一、点缺陷的概念 二、点缺陷的类型 三、缺陷反应遵循的原则 四、点缺陷的平衡浓度 五、点缺陷与材料行为 图3-6 晶体中的点缺陷 (a)空位 (c)间隙原子 (b)异类原子 （杂质质点） 一、点缺陷的概念 缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，在三维空间各方向上的尺寸都很小，亦称零维缺陷。 二、点缺陷的类型 （1）空位（vacancy）：晶体中某结点上的原子空缺 肖脱基(Schottky)空位或肖脱基缺陷：脱位原子一般进入其他空位或者逐渐迁移至晶界表面。 弗兰克耳(Frenkel)缺陷：晶体中的原子有可能挤入结点的间隙，形成另一种类型的点缺陷——间隙原子，同时原来的位置也空缺了，产生一个空位，通常把这一对点缺陷（空位和间隙原子）称为弗兰克耳缺陷。 （2）间隙原子（interstitial particle） （弗兰克耳缺陷并不仅只指空位） （3）异类原子或杂质质点（foreign particle） 也可视做晶体的点缺陷，它的原子尺寸或化学电负性与基体原子不一样，它的引入必然导致周围晶格的畸变。 三、缺陷应遵循的法则 点缺陷的存在，破坏了原有原子间的作用力平衡，点缺陷周围的原子必然会离开原有的平衡位置，作相应的微量位移，这就是晶格畸变或应变，它们对应着晶体内能的升高。 但缺陷反应前后应遵循以下法则： （1）位置关系：在化合物MaXb中，无论是否存在缺陷，其正负离子位置数（即格点数）的之比始终是一个常数a/b，即：M的格点数/X的格点数?a/b。如NaCl结构中，正负离子格点数之比为1/1，Al2O3中则为2/3。 （2）质量平衡：与化学反应方程式相同，缺陷反应方程式两边的质量应该相等。需要注意的是缺陷符号的右下标表示缺陷所在的位置，对质量平衡无影响。 （3）电中性：电中性要求缺陷反应方程式两边的有效电荷数必须相等。 四、点缺陷的平衡浓度 （1）平衡点缺陷及其浓度 能量 + 能量 - n ne △U=nu △F= △U-T△S -T△S △F = △U-T△S F：自由能 U：内能 T：温度 S：熵 平衡点缺陷 的浓度 A：材料常数 T：热力学温度 u: 该类型缺陷形成能 k：玻尔兹曼常数 （1）点缺陷的平衡浓度与化学反映速率一样，随温度升高呈指数关系增加。 （2）点缺陷的形成能也以指数关系影响点缺陷的平衡浓度。 由于间隙原子的形成能要比空位高几倍，因此