第三章+电镜图象解释.pptVIP

s=0, I g max= π2 t2/ ζ g 利用(4-5)和上图,可以定性的解释倒易阵点在晶体尺寸最小方向上的扩展.当只考虑到衍射强度主极大值的衰减周期(-1/t~1/t)时,倒易阵点的扩展范围即2/t大致相当于强度峰值包括线的半高宽Δs, 与晶体的厚度成反比.这就是通常晶向发生衍射所能允许的最大偏离范围(︱s︱1/t) 运动学理论关于衍射强度随晶体位向变化的结果,在实验上也得到证明,那就是弹性形变的薄膜晶体所产生的弯曲消光条纹如下图, 如果o处θ= θ B, s=0在其两侧晶面向相反方向发生转动,s的符号相反,且离开o点的距离愈大,则︱s︱愈大,所以在衍衬图象中对应于s=0的I g max亮线(暗场)或暗线(明场)两侧,还有亮,暗相间的条纹出现,(因为峰值强度迅速减弱,条纹数目不会很多),同一亮线或暗线所对应的样品位置,晶面具有相同的位向(s相同),所以这种衬度特征也叫做等倾条纹.如果倾动样品面,样品上相应于s=0的位置将发生变化,消光条纹的位置将跟着改变, 在荧光屏上大幅度扫动.等厚消光条纹则不随晶体样品倾转面扫动,这是区分等厚条纹与等倾条纹的简单方法(参看照片). 3. 消光距离 从(4-3),(4-4)中得到消光距离为 ζ g = πV ccosθ/λF g (4-6) 由于电子衍射θ很小, cosθ≈1,所以 ζ g = πV c/λF g 根据式(4-4) I D= π2sin2(πst)/ ζg (πs)2 强度公式可知,暗场向的衍射强度是晶体厚度t和偏离参量s的正弦周期函数. 当一束平行电子波进入晶体试样时,开始透射波强度(I o-I g)极大,衍射波I g为0,所以开始时透射波强度等于I o(入射波强度).随着入射晶体深度的增加,透射波减弱,衍射波逐渐增大,达到一定深度时I g= I g max,随着深入厚度的增加,强度最大和最小发生周期性交错变化,或周期性振荡,显然当衍射波强度为0时,可以认为时消光的,因此,两衍射波强度为0之间的距离称为消光距离.如上图.不同加速电压(λ),不同晶体(V c),不同晶面(F g) , ζ g也不同 . 二. 衍射强度的振幅—位相图解法 处理相干散射波的合成波振幅除了使用前述的计算方法外,还可以应用矢量图方法，这种方法称为振幅--位相图解法. 由(4-3)可改写成: φg=∑iπ/ξ g?e-2 πiszdz. 在深度为Z处的散射波相对于样品上表面原子层散射波的位相角α=2 πsz(前述),该深度处厚度元dz的散射波振幅d φg. φg= ∑d φge-i π = ∑d φge-2 π isz 比较上二式,考虑到π和ξ g都是常数,所以, d φg=iπd z/ ξ g∝ d z 如果取所有的dz都是相等的厚度元,则暂不考虑比例常数(iπ/ ξ g)而把c作为一个厚度元dz的散射振幅,而逐个厚度元的散射元之间相对位相角差为dα=2π s dz,于是,在t=N dz处的合成振A(NC),用A- α圆来表示的话,就是右图中的︱OP︱,考虑到dz很小, A- α圆就是一个半径R=1/2 πs的圆周.此时,晶体内深度为t处的合成振幅: A(t)=sin(πts)/ πs 相当于从o点(晶体上表面)顺圆周方向长度为t的弧度所张的弦︱OP︱.显然,该圆周的长度等于1/s,就是衍射振幅或强度振荡的深度周期t g 而圆的直径oθ所对的弧长为1/2s=t g/2,此时衍射振幅为最大.随着电子波在晶体内的传布,即随着t的增大,合成振幅op的端点p在圆周上不断运动，每转一周相当于一个深度周期t g。同时衍射波的合成振幅φg（∝A）从零变为最大又变为零，强度I g(∝ ︱ φg ︱2 ∝A2)发生周期性振荡. 第五节 不完整晶体衍衬象运动学解释 一.不完整晶体及其对衍射强度的影响 上一节讨论了完整晶体的衍衬象，认为晶体时理想的，无缺陷的。但在实际中，由于熔炼，加工和热处理等原因，晶体或多或少存在着不完整性，并且较复杂，这种不完整性包括三个方向： 1.由于晶体取向关系的改变而引起的不完整性，例如晶界、孪晶界、沉淀物与基体界向等等。 2.晶体缺陷引起，主要有关缺陷（空穴与间隙原子），线缺陷（位错）、面缺陷（层错）及 体缺陷（偏析，二相粒子，空洞等）。 3. 相转变引起的晶体不完整性：①成分不变组织不变（spinodals）；②组织改变成