第三章内存储器.pptVIP

8086中存储器的组成 3.2.2 32位CPU中存储器地址间的硬件组织 对准 非对准 A31～A2， 3～ 0，寻址4GB，4个体Bank3～Bank0 高30位地址（ A31～A2）相同的字和双字是对准字和对准双字，存取需1个总线周期； 非对准字和非对准双字的存取需2个总线周期，第1个总线周期起始于 0=0。 3.2.2 32位CPU中存储器地址空间 非对准双字的数据传送 3.3 PC/XT存储器子系统 PC/XT机中RAM子系统采用4164（64KX1）DRAM芯片，有4组芯片，每组9片，其中8片构成64KB容量的存储器，1片用于奇偶校验，4组DRAM芯片构成XT机系统板上256KB容量的内存。 * F3.23 RAM电路 第三章 内存储器 3.1 半导体存储器 3.2 存储器地址空间的硬件组织 3.3 PC/XT存储器子系统 3.4 奔腾机存储器子系统 本章学习目标 半导体存储器及闪存的组成及功能。 半导体存储器性能参数以及芯片的组成方式。 16位和32位微处理器存储地址空间的硬件组织方式。 存储器层次结构 3.1 半导体存储器 3.1.1 ROM（Read Only Memory) ROM的特点是断电后不丢失其中存储的程序和数据。 ROM中的信息写入通常在脱机状态下用电气方式进行，即对ROM编程。 ROM一般由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器组成。 3.1.1 ROM 1掩膜ROM 常称为ROM，行选字、列选位。列的位线上连或没有连管子，由二次光刻版图形（掩膜）决定。 3.1.1 ROM 2. PROM 一次可编程ROM 熔丝ROM，通过熔丝有、无表示两种状态。 （1）字选中，基极为“1”，射极为“1” 连熔丝：T1导通，输出“0” 无熔丝：T1截止，输出“1” （2）出厂时熔丝都连，写入编程Ec-12V 要写入的Di端为“1”（断开），DW导通，T2导通， 大电流流过熔丝，烧断 不写入的Di端为“0”（接地），DW不通，T2截止， 无电流流过熔丝，不断 （3）用途：标准程序、图表、常数、字库等 3.可擦可编程ROM（EPROM） 紫外线照射整体擦去，专用编程器写入信息。 写入：D、S加25V，瞬间击穿，电子进入FG，设为“0”， 未写的仍为“1”，无电子，VT不变 读出：D、S加5V，FG无电子，VT＝VT1，G上电压使FAMOS 导通，输出“1”；FG有电子，VT＝VT0，G上电压不能 使FAMOS导通，输出“0”。 擦去：用紫外线通过窗口照射，电子被激发成为光电流泄 漏， 都无电子，恢复为全“1”状态 3.1.1 ROM 3.1.1 ROM （1）EPROM基本存储电路工作原理 N沟FAMOS管的结构 浮栅积存电荷与阀值的关系 3.1.1 ROM PGM Vpp 数据线 读出 0 0 1 +5V 输出 待机 1 × × +5V 高阻，功耗为最大值1/4 编程 0 1 0 +25V 输入，所有单元为“1” 检验 0 0 1 +25V 输出 禁止编程 1 × × +25V 高阻 （2）EPROM引脚配置和工作方式 EPROM 2764：8K×8b，28脚DIP，地址线A12－A0，数据线O7－O0， Vpp偏电源，Vcc电源，GND地线。 2764的工作方式: 4.EEPROM （1）EEPROM芯片的应用特性 电可擦可编程ROM（EEPROM） 字节写入、同时擦除，内部集成了擦除和编程电路. 非易失性，读写与RAM类似，但写入时先擦除，时间稍长。 2817：2K×8b，28脚DIP，地址线A10－A0，数据线I/O7-I/O0， 片选， 输出允许， 写允许， RDY/ 准备好/忙，Vcc，GND，3个引脚NC 2816: 2K×8b，24脚DIP，与2817基本相同。2817有擦写完毕信号端RDY/ ，在擦写操作期间RDY/ 为低电平，全部擦写完毕时，RDY/ 为高电平。 3.1.1 ROM 3.1.1 ROM RDY/ 数据线 读出 0 0 1 高阻 输出 未选中 1 × × 高阻 高阻 字节编程 0 1 0