掺杂对二氧化锡薄膜光电性能的影响-硅酸盐学报.pdf

第 46 卷第 4 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 46 ，No. 4 2 0 1 8 年 4 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY April ，2018 DOI ：10.14062/j.issn.0454-5648.2018.04.19 综 合 评 述 掺杂对二氧化锡薄膜光电性能的影响 1 1,2 1 1 1 1 1 1 王立坤 ，郁建元 ，王 丽 ，牛孝友 ，付 晨 ，邱茹蒙 ，晏伟静 ，赵洪力 (1. 燕山大学材料科学与工程学院，河北 秦皇岛 066004 ；2. 唐山学院环境与化学工程系，河北 唐山 063000) 摘 要：二氧化锡(SnO2)是一种重要的透明导电金属氧化物半导体材料，掺杂可使其光电性能得到显著改善，拓展其应用领 域。分析了 SnO 薄膜的导电机制、载流子散射机理及近年来国内外学者对不同类型掺杂的 SnO 薄膜的研究。掺杂引入的缺 2 2 陷能级增加了载流子浓度，提高了薄膜的导电性。杂质离子散射和晶界散射是影响薄膜载流子迁移率的主要散射机制。光电 性能严重依赖于掺杂元素的种类及掺杂量，多元共掺杂是极具发展潜力的方法。 关键词：二氧化锡薄膜；掺杂；导电机制；散射机理；光电性能 中图分类号：TB43 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2018)04–0590–08 网络出版时间： 网络出版地址： Effect of Doping on the Photoelectric Properties of Tin Dioxide Thin Films 1 1,2 1 1 1 1 1 1 WANG Likun , YU Jianyuan , WANG Li , NIU Xiaoyou , FU Chen , QIU Rumeng , YAN Weijing , ZHAO Hongli (1. College of Materials Science and Engineering, Yanshan University, Qinhuangdao 066004, Hebei, China; 2. Department of Environmental and Chemical Engineering, Tangshan University, Tangshan 063000, Hebei, China) Abstract: Tin dioxide (SnO2) is an important transparent conductive metal oxide semiconductor, its electrical and optical properties can be significantly improved by doping, and the applications are expanded. Recent studies on the conductive mechanism, scattering mechanism of SnO film as well as different doped SnO films were reviewed. The defect levels introduced by the doping increase the