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1.发射结加正向电压 2.集电结加反向电压 3.把信号源加到b-e之间 4.在输入信号作用下得到不失真的输出信号 以上四条是判断三极管放大电路能否放大的依据,四条必须同时满足。 这里面还涉及到一个静态工作点的问题,考虑到大家的理解范围,暂时不做讲解! * * (Semiconductor Transistor) 晶体三极管 一、结构、符号和分类 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 P P N E B C PNP 型 E C B E C B 分类: 按材料分: 硅管、锗管 按功率分: 小功率管 500 mW 按结构分: NPN、 PNP 按使用频率分: 低频管、高频管 大功率管 1 W 中功率管 0.5 ?1 W 二、电流放大原理 1. 三极管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 2. 满足放大条件的三种电路 ui uo C E B E C B ui uo E C B ui uo 共发射极 共集电极 共基极 3. 三极管内部载流子的传输过程 1) 发射区向基区注入多子电子, 形成发射极电流 IE。 I CN 多数向 BC 结方向扩散形成 ICN。 IE 少数与空穴复合,形成 IBN 。 I BN 基区空 穴来源 基极电源提供(IB) 集电区少子漂移(ICBO) I CBO IB IBN ? IB + ICBO 即: IB = IBN – ICBO 2)电子到达基区后 (基区空穴运动因浓度低而忽略) 4. 三极管的电流分配关系 当管子制成后,发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定,故电流的比例关系确定,即: IB = I BN ? ICBO IC = ICN + ICBO 穿透电流 IE = IC + IB 晶体管放大电路的组成及其工作原理 共射基本放大电路的组成 输出不失真 发射结加正向电压 集电结加反向电压 RB VBB C1 + Rs + us - RC VCC T C2 RL + uo 信号源加到b-e间 ui
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