光刻胶非光学光刻刻湿.ppt

前部工序的主要工艺 3.8 晶圆处理制程（Wafer Fabrication；简称 Wafer Fab） 1. 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单 晶片上 a.光刻（接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻） b.刻蚀技术(湿法刻蚀、干法刻蚀） 2. 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体 管、接触等 a. 扩散 b. 离子注入 c. 退火 3. 制膜：制作各种材料的薄膜 a. 氧化：干氧氧化、湿氧氧化等 b. CVD：APCVD、LPCVD、PECVD c. PVD：蒸发、溅射 半导体制造过程 后段（Back End） ---后工序 构装（Packaging）：IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑料（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑料构裝为主。以塑料构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封膠（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。 测试制程（Initial Test an