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电光调制

一、实验目的

1、掌握晶体电光调制的原理和实验方法

2、学会利用实验装置测量晶体的半波电压，计算晶体的电光系数

3、观察晶体电光效应引起的晶体会聚偏振光的干涉现象

半导体激光器

起偏器

电光晶体

小孔光阑

检偏器与1/4波片

光电探测器

电光晶体调制、接受电源

改变直流偏压选择工作点对输出特性的影响

综上所述，电光调制是利用晶体的双折射现象，将入射的线偏振光分解成o光和e光，利用晶体的电光效应有电信号改变晶体的折射率，从而控制两个振动分量形成的像差，在利用光的相干原理两束光叠加，从而实现光强度的调制。

四、实验内容

一、调整光路系统，观察干涉图样

1、调节三角导轨底角螺丝，使其稳定于调节台上。在导轨上放置好半导体光源部分滑块，将小孔光栏置于导轨上，在整个导轨上拉动滑块，近场远场都保证整个光路基本处于一条直线，即使光束通过小孔。上起偏振器，使其表面与激光束垂直，且使光束在元件中心穿过。再放上检偏器，使其表面也与激光束垂直，转动检偏器，使其与起偏器正交。

2、将铌酸锂晶体置于导轨上，调节晶体使其x轴在铅直方向，使其通光表面垂直于激光束（这时晶体的光轴与入射方向平行，呈正入射），这时观察晶体前后表面查看光束是否在晶体中心，若没有，则精细调节晶体的二维调整架，保证使光束都通过晶体，且从晶体出来的反射像与半导体的出射光束重合。

3.拿掉四分之一波片，在晶体盒前