材料科学基础-第五章2.pptVIP

二次再结晶过程有以下特征： 1. 二次再结晶的驱动力是来自界面能或表面能的降低，而不是来自应变能，所以它比一次再结晶的驱动力要小的多。 2. 二次再结晶并不需要重新形核，它是以一次再结晶后的某些特殊晶粒作为基础而长大的，因此，严格说它是特殊条件下的晶粒长大过程，而非再结晶。 3. 只有正常晶粒长大受阻的情况才产生二次再结晶，阻碍正常晶粒长大的主要因素有 a)含有适量夹杂物 b)具有强烈的一次再结晶织构。 4.二次再结晶的动力学类似于一次再结晶的动力学，也有一孕育期 5.二次再结晶完成时也产生明显的织构，但它与一次的不同 6.必须超过一最低温度进行退火时才会发生二次再结晶。通常最大的晶粒是在加热温度刚刚超过这一温度时得到的，当加热温度更高时，得到的二次再结晶晶粒的尺寸反而较小。 二次再结晶机制 二次再结晶形成的大晶粒在长大到某一临界尺寸后便迅速长大，这一点不难解释，因为在初次再结晶的各晶粒中，达到临界晶体尺寸的晶粒必超过它周围的晶粒，由于大晶粒的晶界总是凹向外测的，因而晶界总是向外迁移而扩大，结果它就愈长愈大。形成二次再结晶。 至于大晶粒是怎样长到临界尺寸的，一般认为，初次再结晶后，大多数晶粒具有明显的织构，但也有一些晶粒具有与这个织构不同位向，其中更有少数具有特殊的位向，使其晶界的迁移率较高，因而能够长大到临界直径，另一方面，要发生二次再结晶，还必须有某种阻碍晶粒正常长大的因素存在，如第二相质点，一次再结晶织构，热蚀沟等，只有正常晶粒长大进行得很慢时，二次再结晶才能发生。 5. 再结晶退火后得组织 一 、再结晶退火后的晶粒大小 Grain Size 取决于 预先变形程度：Ψ％ 退火后晶粒 退火温度： t℃ 晶粒 若将变形量，退火温度和再结晶的晶粒大小三者综合于三维图上，即得静态再结晶图 在临界变形量下和二次再结晶阶段出现两个粗大晶粒 It may be used for the preparation for perfect strain-free single crystals。 工业纯铝再结晶 二、再结晶织构 Recrystallization Textures  冷变形金属在再结晶过程中形成的织构称再结晶织构。它与退火织构不同，因不发生再结晶的回复退火也能形成基本上与变形织构相同的退火织构。 再结晶织构与原变形织构之间的关系存在一下情况： a) 晶粒取向保持与原有织构一致 b) 原有织构消失而代之以新的织构 c) 原有织构消失不再形成新的织构。 1）不同T，不同变形度，曲线不同，但有“S”特征 2）发生再结晶，需要一段孕育期 incubation period （T ↑ ，t孕↓ ） 3）开始再结晶时，转变量速率V转 很低， 随着转变量↑ ，V转 ↑ ， 至50％时，V转 V转max 转变量进一步↑ V转↓ JohnsonMehl 在假定 ： 均匀形核 晶核为球形 N和G不随t 而改变 推导出恒温下经过t时间后，再结晶体积分数为： 即所谓J－M 方程 但实际 N 是随t↑而呈指数关系 ↓，并非Const，故J－M方程应修正，通常采用Avrami方程来描述再结晶过程比较合适，即： B、K均为常数，再结晶为三维时，K＝3-4 二维 K＝2-3 一维 K＝1-2 取双对数 截距 斜率 此分析结果与试验结果完全吻合，且发现在一定温度范围内，K不随T而变 不同T下，各直线基本平行, B则随T不同而变 作 关系图（线性关系图） 170℃139℃125℃ T1 T2