第三章双极晶体管95835.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 输入特性曲线 * 输出特性曲线 共基极 共射极 两种组态输出特性曲线的共同之处是： 当输入电流一定时，两种组态的输出电流基本上保持不变，即输出电压的变化很微弱，只有输入电流改变时，输出电流才随之变化。因此晶体管的输出电流受输入电流控制，是一种电流控制器件。 但是两组输出特性也有一些不同之处： (1)共射极输出特性中，输入电流IB较小的变化量，就会引起输出电流IC较大的变化 (2)共射极输出特性曲线随输出电压的增大逐渐上升，而共基极特性曲线基本上保持水平。这是因为基区宽变效应对共射极电流增益的影响比对共基极的大得多。 * * (3)随着输出电压的减小，共射极特性曲线在VCE下降为零之前，输出电流IC已经开始下降，而共基极特性曲线在VCB=0时还保持水平，直到VCB为负值时才开始下降。 放大区：发射结正偏，集电结反偏 饱和区：发射结正偏，集电结正偏，集电极电流IC基本上不受基极电流影响，仅由VCE决定 截至区：发射结反偏，集电结反偏 * 3.5.2 Ebers-Moll 模型 Ebers-Moll模型是一种适用于计算机辅助设计(CAD)的表述简单的模型，它于1954年由此二人提出，适用于图2-62所示的所有工作区。 * 薄基区导致两个结的相互作用，流过每个结的电流都应由两个结上的电压所决定。 * 1. E-M 方程 将双极晶体管的电流看成一个正向晶体管和一个倒向晶体管叠加后各自所具有的电流并联而成 正向晶体管 倒向晶体管 * 1. E-M 方程 IES是C结短路，E结的反向饱和电流 对正向晶体管： 对比式（3.5.1） E结正偏，C结零偏正向电流增益 * 同理，对倒向晶体管 ICS是E结短路， C 结的反向饱和电流 对比式（3.5.2） C结正偏， E结零偏反向电流增益 * 由图 * 代入式（3.5.6）、（3.5.10）得E-M方程 等效电路见图 * 对照式（3.5.1）、 （3.5.2）得E-M方程互易定理 实际器件中 互易定理的本质是：eb 结与cb 结有共同部分（基区），无论哪个结短路，另一个结的反向饱和电流都含有共同的基区少子扩散电流 * 2. EM1模型 式（3.5.15）、（3.5.16）是以晶体管某一极短路时的反向饱和电流来表示端电流的EM方程；同样也可以某一极开路时的反向饱和电流 来表示EM方程 * 上式又可写为 于是得到 对 有: -1 * 对 有 即 集电结（发射结）短路时的发射结（集电结）饱和电流等于集电结（发射结）开路时的发射结（集电结）饱和电流除以 (1－αRαF) ，一般αRαF均小于1， ∴IEB0,ICB0都小于IES,ICS * 上述二式均可等效为一个电流源与一个二极管并联，如下图所示 代入式 （3.5.15）、（3.5.16）得 * 一、晶体管的工作状态 晶体管的工作状态完全由直流偏置情况决定，如图可分为三个区。当晶体管处于倒向运用状态时，也同样存在以上三个区，但截止区和饱和区是一样的。只注意反向放大区即可。 3.6 晶体管的开关特性 * 各工作区中结的偏置情况和电流关系 工作区 正向放大区 反向放大区 饱和区 截止区 发射结偏置 VBE0（正偏） VBE=0(反偏） VBE0（正偏） VBE0(反偏) 集电结偏置 VBC=0(反偏） VBC0(正偏） VBC=0（正偏） VBC0（反偏） 电流关系 IC＝βIb IC＝βR Ib IC=βIb IC=ICE≈0 截止区： IB＝IEBO＋ICBO 饱和区： ViVBB+VBE时 IBIBS 时 Vcc,VBB为集电极和发 射极的反向偏置电压。 RL：负载电阻 当VI为负脉冲或零时 当VI为VBB的正脉 冲信号时 * * 小结：饱和态晶体管的特点： (1)饱和电流 (3)产生超量贮存电荷 * 在放大电路中，晶体管作为放大元件；但在逻辑电路中，晶体管是作为开关元件的。 二、晶体管的开关作用（以共射极电路为例） 截止区---关态 饱和区---开态 * 三、正向压降和饱和压降 如图：定义 Vbes：晶体管驱动到饱和时，be 间电压降称为共射极正向压降。 Vce