低频电子电路02章20120305.pptVIP

2.2.3 场效应管与晶体管性能比较 项目 ? 器件 电极名称 工作区 导电 类型 输入电阻 跨导 晶 体 管 e极 b极 c极 放大区 饱 和 区 双极型 小 大 场效应管 s极 g极 d极 饱和区 非饱和区 单极型 大 小 第二章 半导体受控器件基础 * 需两个动画 * 需两个动画 * 需两个动画 * 需两个动画 * 需两个动画 栅极电压对沟道厚度的影响分析 N沟道DMOS管工作原理 vGS =夹断电压VGS(off) ，D、S之间已有导电沟道消失。 第二章 半导体受控器件基础 恒定 vGS下的 vDS - iD 关系曲线分析 N沟道DMOS管工作原理 第二章 半导体受控器件基础 N沟道DMOS管工作原理 第二章 半导体受控器件基础 解析表达式： 此时MOS管可看成阻值受VGS控制的线性电阻器： VDS较小的非饱和区时，iD与vDS之间呈近似线性关系： 其中：W、l 为沟道的宽度和长度。 COX （= ? / ?OX）为单位面积的栅极电容量。 注意：非饱和区类似于晶体管的饱和区。 第二章 半导体受控器件基础 若vGS等于零，记iD的为IDSS ，称为饱和漏电流 处于饱和区时，管子具有正向受控作用，服从平方律关系，称为转移特性： 第二章 半导体受控器