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根据上述输出特性曲线的特点,将三极管的工作范围划分为截止区、放大区和饱和区三个区域。 1) 截止区 输出特性曲线族中,IB=0以下的区域称为截止区。三极管工作在截止区时,发射结和集电结均处于反向偏置,IB=0,IC≤ICEO。通常ICEO很小,因此在近似分析中可以认为三极管的集电极和发射极之间呈高阻态,iC≈0,三极管截止,相当于开关断开。 2) 放大区 在图1-26中虚线以右,各条输出特性曲线较平坦的部分, 称为放大区。三极管工作在放大区时,发射结为正偏,集电结为反偏。在放大区,各条特性曲线几乎平行,且间距也几乎相等,这表明集电极电流iC受基极电流IB控制,而与uCE无关。所以在放大区,三极管可视为一个受基极电流IB控制的受控恒流源, 即β=IC/IB=ΔIC/ΔIB=β为一常数。 3) 饱和区 在图1-26中虚线以左,uCE很小,输出特性曲线陡直上升, 该区域称为饱和区。三极管工作在饱和区时,发射结和集电结均处于正向偏置,集电结收集电子的能力较小,IB增大时,iC增加很少,甚至不增大。从图1-26中可见,不同IB值的各条特性曲线几乎重叠在一起,IB对iC失去控制作用,因此三极管没有放大作用,不能用β来描述基极电流和集电极电流的关系。 工程上定义,uCE=uBE即uCB=0时, 三极管处于临界饱和;uCEuBE时,则称为饱和。三极管饱和时的管压降用UCES表示,通常,小功率硅管的饱和管压降UCES约为0.3 V,小功率锗管约为0.1 V,所以三极管饱和时,集电极和发射极之间呈低阻态,相当于开关闭合。 1.3.4 三极管的主要参数 三极管的参数用来表征三极管的各种性能和适用范围。由于制造工艺的关系,即使同一型号的管子,其参数的离散性也很大, 晶体三极管手册上所给出的参数只是一般的典型值,了解这些参数的意义,对合理使用管子进行电路设计是十分必要的。 1. 电流放大系数 电流放大系数是表征三极管放大性能的参数。 1) 共射直流电流放大系数β 当忽略穿透电流ICEO时,β近似等于集电极电流与基极电流的直流量之比,即 2) 共射交流电流放大系数β β定义为集电极电流与基极电流的变化量之比,即 3) 共基直流电流放大系数 当忽略反向饱和电流ICBO时,近似等于集电极电流与发射极电流的直流量之比,即 4) 共基交流电流放大系数α α定义为集电极电流与发射极电流的变化量之比,即 在近似分析中可认为, 2. 极间反向电流 1) 集电极-基极反向饱和电流ICBO 集电极-基极反向饱和电流ICBO是指发射极开路时,集电极与基极之间的反向电流。在一定的温度下,这个反向电流基本上是个常数,所以称为反向饱和电流。由于ICBO是由少数载流子的运动形成的,因此对温度非常敏感。一个好的小功率锗三极管的ICBO约为几微安至几十微安,硅三极管的ICBO更小,有的可达到纳安数量级。 2) 集电极-发射极穿透电流ICEO 集电极-发射极穿透电流ICEO是指基极开路时,集电极与发射极之间的电流。由式(1-16)知三极管的 越大,该管的ICEO越大。由于ICBO随温度的增加而迅速增大,因此ICEO随温度的增大更为敏感。通常ICBO和ICEO越小,表明管子的质量越好。在实际工作中选用三极管时,不能只考虑β的大小,还要注意选用ICBO和ICEO较小的管子。 3. 极限参数 极限参数是指三极管使用时不允许超过的工作界限,超过此界限,管子性能下降,甚至损坏。 1) 集电极最大允许电流ICM 集电极电流iC在相当大的范围内β值基本不变,但是当iC的数值大到一定程度时,β值将减小。通常ICM表示β值降为正常β值的2/3时所允许的最大集电极电流。 2) 集电极最大允许功耗PCM 为了保护三极管的集电结不会因为过热而烧毁,集电结上允许耗散功率的最大值为PCM。 PCM=iCuCE 对于确定型号的三极管,PCM是一个定值,因此由上式可在三极管的输出特性曲线上画出管子的最大功率损耗线,是一条双曲线,如图1-27所示。双曲线左侧为安全工作区,双曲线右侧为过损耗区。 PCM值与环境温度有关,温度愈高, PCM值愈小。因此三极
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