第2章半导体三极管和场效应管分解.pptVIP

2.1 半导体三极管晶体管的;基区：最薄，掺杂浓度最低发射区;2.1. 2 电流分配和放大;晶体管电流放大的实验电路  ;晶体管电流测量数据IB(mA);+ UBE ;3.三极管内部载流子的运动规律;3. 三极管内部载流子的运动;2.1.3 特性曲线 即;发射极是输入回路、输出回路的公;1. 输入特性特点:非线性正常;2. 输出特性 共发射;2. 输出特性 晶体管有;IC/mAUCE/V100 μ;IC/mAUCE/V100 μ;晶体管三种工作状态的电压和电流;?0 0.1 ;2.1.4 主要参数1. 电流;例：在UCE= 6 V时， ;2.集-基极反向截止电流 IC;4.集电极最大允许电流 ICM;ICMU(BR)CEO由三个极;晶体管参数与温度的关系1. 温;BJT 实物图片;2.2、场效应晶体管 FET ;场效应晶体管的分类 结型场效;BB1. 增强型 MOS 管的;场效应晶体管源极 门极 漏极;P 型硅衬底 N+N+S ;图形符号 GSDB 转移特性 ;(2) 增强型 PMOS 管的;(1) 耗尽型 NMOS 管 ;(1) 耗尽型 NMOS 管的;(2) 耗尽型 PMOS 管的;gm = ;课 堂 讨 论 ;2.3 某晶体管的 PC;课 堂 讨 论