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单晶生长操作规程讲解 1.装拆炉的重要性： 装好炉的几个关键问题： a.清擦炉子： ?防止杂质影响单晶位错的产生. ②使氧化物通畅的排除. b.装热场： ?间隙 ②是否使炉子与其他石墨件绝缘 c.装料： ?坩埚质量. ②洁净的手套. ③装料的方法，尽量让大料在底部，少装在上口. ④用吸尘器吸走硅渣，灰尘。 单晶生长操作规程讲解 2.抽真空，检漏： a.各处密封圈务必清理洁净. b.真空泵正确的关闭与开启. c.炉子漏气率的关键性. Q=(P1-P2)XV/TR 3.拉晶的实践过程： 早先： 真空拉晶--常压拉晶--减压拉晶 对目前的炉内拉晶压力要求在8-15turo2700 单晶生长操作规程讲解 4.热量传递的三种方式： ① 传导 ② 对流 ③ 辐射 5.熔料： ①加热与保温 ②正确的使用加热功率，不破坏石英坩埚与石墨坩埚的使用寿命，不破坏其结构。 ③在化料过程中，坩埚的位置放置的重要性。 ④拉晶的时间越长，拉晶的困难就越大。 单晶生长操作规程讲解 6.熔体的对流： ①自然对流. ②强迫对流---旋流. ③强迫对流---逆流. ④表面张力对流. 7.Dash缩颈（无位错单晶生长技术） 位错的特性：位错是一种线性缺陷，是由几个原子大小的线性管道，位错线附近原子发生严重错排和畸变。 位错分为：棱位错 螺行位错 混合位错 单晶生长操作规程讲解 8.缩颈的要点： ①下降过程中不要急于接触到高温（分段下降）. ②籽晶与熔体要在合适的温度下充分良好的接触. ③细颈（Ф4--5mm， L=150mm） 9.能量守恒方程式： ? Qn+Ql=Qm+Qc Qn：加热器提供的系统热量 Ql：晶体结晶时释放的潜热 Qm：熔体表面损失的热量 Qc：晶棒表面通过热辐射与对流将热量损失到外围 单晶生长操作规程讲解 ? LVd+AKL(dTL /dx)=AKS(dTS / dx) L 结晶潜热 V 生长速度 d 硅的密度 A 固液界面的截面积 KL 液体热传导系数 dTL /dx 临近界面 KS 固体热传导系数 10 .放肩 ①放到一定的拉速 . ②恒定降温方式 . 单晶生长操作规程讲解 11.转肩与等径： ①转肩时的大小与拉速（2--4mm/min). ②降低拉速，跟进埚跟比和随动. ③确认等径参数，投入自动. ④断棱和回熔 12.收尾与停炉： ①根据埚底料的多少判断是否要收尾. ②控制温度和拉速. ③降功率、停炉冷却. ④整个拉晶过程的记录。 单晶生长操作规程讲解 拉晶过程中常见事故和处理 A 停水 a 发生停水时，立即检查（自动打开的）或打开停水炉子的事故水进水阀。 ① 关闭加热功率， ② 复位控制柜面板上单晶生长控制器，使其处于手动状态， ③降低埚位到熔料埚位， ④关闭埚转。 单晶生长操作规程讲解 b 停水后水压恢复 ①冷却水恢复供应时，立即检查（自动打开的）或关闭事故水阀门，监控水压，有异常及时报告。 ②水压恢复时，炉内无严重氧化现象，熔体未结晶或已结晶但液面结晶小于10分钟且石英坩埚未破裂，按加热功率开，调节功率到熔料功率。 ③启动埚转，设定为2转/分，打开埚转前，确保埚转电位器处于零位。 ④熔化结晶面，在此期间应密切炉内有无严重 单晶生长操作规程讲解 氧化现象，注意硅料液面熔化情况，一旦发生严重氧化现象、硅液面下降，立即停炉并报告。 ⑤晶体处理同晶变单晶一致，待结晶全熔后，手动调节功率为引晶功率，温度稳定后开始引晶。 c 停水后水压无法恢复，或恢复时结晶大于10分钟 ①快速提升晶体或籽晶，距液面150mm。 ②待熔体结晶15分钟时，快速提升坩埚并顶起导流筒100mm。 ③停炉，充分冷却后拆炉。 单晶生长操作规程讲解 B 停电 a 若炉子工作时，加热部