晶体生长科学与技术(3-4节课).pptVIP

晶体生长的发展 制盐 晶体生长理论的发展 1. 18th : Fahrenheit、Lowitz过冷、过饱和现象 2. 19th：Gibbs、Arrhenius、Van’t Hoff 热动力学 3. 20th 晶体生长、形核、传输现象 4. 20年代柯塞尔等提出完整晶体生长微观理论； 5. 30年代Stranski and Kaishew 提出晶体单元作为重复构筑 6. 40年代弗兰克等发展了缺陷晶体生长理论； 7. 50年代伯顿等发展了晶体生长及界面平衡结构理论； 8. 近年，借助计算机的微观定量计算。 晶体生长方法 晶体生长方法简介 固相生长法： 固体再结晶：依靠在固体材料中的扩散，使多晶体转变为单晶体非晶体转变成单晶体； 优点：晶体的形状可事先固定(丝、箔)； 缺点：成核密度高，固体中扩散速率非常小，难以用此法得到大单晶。 晶体生长方法简介 溶液生长法： 由于温度对物质的溶解度有影响，而且不同物质的溶解度受温度的影响不同。因此，可以用纵坐标表示溶解度，横坐标表示温度。在坐标上画出不同物质的溶解度和温度的关系曲线。这种曲线就叫做溶解度曲线，一般而言，压力影响较小； 溶液生长单晶，最重要的问题是控制溶解度(P，T)； 对于某特定溶剂，可以测出温度与溶解度之间的曲线，用于晶体生长方法和温度的选择； P25的溶解度曲线，划分过饱和区，不饱和稳定区； 过饱和区分为不稳过饱和