半导体制造工艺 教学课件 ppt 作者 张渊 第6章　金　属　化.pptVIP

6.3　金属淀积 1.脉冲电镀法2.添加剂法 图6-13　沟槽中的三种添加剂和氯离子 6.4　金属化流程 6.4.1　传统金属化流程 传统的互连金属是铝铜合金（99%铝，1%铜），并用SiO2作为层间介质隔离层。以下是制备第二层金属的传统铝互连技术的工艺流程。该过程中铝被淀积为薄膜，然后被刻蚀掉（减去）以形成电路。 图6-14　第一层金属 6.4　金属化流程 1. 第一层金属(金属1)2.通孔2的形成3.钨塞2的形成 图6-15　形成通孔2 6.4　金属化流程 图6-16　形成钨塞2 6.4　金属化流程 图6-17　淀积金属2 4.淀积金属2 6.4　金属化流程 图6-18　刻蚀金属2 5.刻蚀出互连线 6.4　金属化流程 6.4.2　双大马士革流程 　　铜金属化在各方面的性能比铝更具优势，半导体产业正在实现用铜做微芯片的互连材料。而传统工艺中的干法刻蚀铜不能产生易挥发的副产物，因此铜不适合干法刻蚀。这个问题直接导致铜金属化不能采用传统的工艺流程进行。双大马士革工艺是通过层间介质刻蚀形成孔和槽，确定好线宽和图形间距，然后将铜淀积至刻蚀好的图形，再经过化学机械抛光除掉多余的铜。利用这种方法不需要金属刻蚀而且通孔和引线同时被制备好。所以使用双大马士革法完成铜金属化成为最佳选择。 6.4　金属化流程 图6-19　层间介质淀积 1.层间介质淀积 6.4　金属化流程 图6