半导体制造工艺 教学课件 ppt 作者 张渊 第7章　光　　刻.pptVIP

半导体制造工艺 第7章　光　　刻 第7章　光　　刻 7.1　概述7.2　光刻工艺的基本步骤7.3　正性光刻和负性光刻7.4　光刻设备简介7.5　光刻质量控制 7.1　概述 图7-1　半导体制造工艺流程 7.1　概述 7.1.1　光刻的概念 　　光刻处于晶圆加工过程的中心，一般被认为是集成电路（IC）制造中最关键的步骤，需要高性能以便结合其他工艺获得高成品率。 图7-2　光刻的基本原理图 7.1　概述 7.1.2　光刻的目的　　光刻实际是图形的转移，把掩膜版上的图形转移到晶圆的表面。7.1.3　光刻的主要参数　　在光刻工艺中，主要的参数有特征尺寸、分辨率、套准精度和工艺宽容度等。1.特征尺寸2.分辨率 图7-3　焦深的示意图 7.1　概述 3.套准精度4.工艺宽容度7.1.4　光刻的曝光光谱　　曝光光源的能量要能激活光刻胶，并将图形从掩膜版中转移到晶圆表面。由于光刻胶材料与紫外光所对应的特定波长的光发生反应，因此目前紫外光一直是形成光刻图形常用的能量源。 表7-1　常用的曝光光源以及光源波长与特征尺寸的关系 7.1　概述 7.1.5　光刻的环境条件　　在晶圆的批量生产中，光刻机对环境的要求非常苛刻，特别是现在的深亚微米尺寸的生产线。微小的环境变化就可能导致器件的各种缺陷。光刻设备有一个要求非常严格的密封室控制各种条件，例如温度、振动、颗粒沾污和大气压力等。