模电第一章课件.ppt

第一章 常用半导体器件 自然界中物质按导电能力分为三大类： 导 体—很容易导电的物质。如银、铜、金、铝。 绝缘体—很不容易导电的物质。如塑料、陶瓷。 半导体—导电能力介于导体和绝缘体之间。如锗、硅。 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子 1.1.2杂质半导体 通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，便可得到杂质半导体。按掺入的杂质元素不同，可形成N型半导体和P型半导体。 二、P型半导体 由于杂质原子的最外层有3个价电子，所以当它们与周围的硅原子形成共价键时，就产生了一个空穴。因此，P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子。 因杂质原子中的空位吸收电子，故称之为受主原子。 1.1.3 PN结 采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结。PN结具有单向导电性。 当空间电荷区形成后，在内电场作用下，少子产生漂移运动。当参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目，从而达到动态平衡，形成PN结。 二、PN结的单向导电性 如果在PN结的两端外加电压，就将破坏原来的平衡状态。此时，扩散电流不再等于漂移电流，因而PN结将有电流流过。当外加电压极性不同时，PN结表现出截然不同的导电性能。 三、PN结的电流方程 理论分析证明，流过PN结的电流i与外加电压u之间的关系为 式中，为反向饱和电流，q为电子的电量，k为玻耳兹曼常数，T为热力学温度。将式中的kT/q用UT取代，则得 在T=300K(室温)时， UT =26mV。 四、PN结的伏安特性 当反向电压超过一定 数值UBR后，反向电流急剧增加，称之为反向击穿。PN结发生反向击穿的机理可以分为两种。 1、齐纳击穿 在高掺杂的PN结中，耗尽区很窄，所以不大的反向电压就能在耗尽区内形成很强的电场，而直接破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚，产生电子—空穴对，致使电流急剧增大。这种击穿称为齐纳击穿。 2、雪崩击穿 在掺杂浓度较低的PN结中，当外加反向电压时，耗尽区较宽，少子漂移通过耗尽区时被加速，动能增大。当反向电压大到一定值时，在耗尽区内被加速而获得高能的少子，会与价电子相碰撞，将其撞出共价键，产生电子—空穴对。新产生的电子、空穴被强电场加速后，又会撞出新的电子，载流子雪崩式地倍增，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。 注：无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结的永久性损坏。 五、PN结的电容效应 1.2半导体二极管 将PN结用外壳封装起来，并加上电极引线就构成了半导体二极管，简称二极管。由P区引出的电极为阳极，由N区引出的电极为阴极。 1.2.1半导体二极管的几种常见结构 本节将介绍二极管的结构、特性、主要参数及特殊二极管的功能。 3、温度对二极管伏安特性的影响： 二极管的特性对温度很敏感, 温度升高, 正向特性曲线向左移, 反向特性曲线向下移。 其规律是：在室温附近, 在同一电流下, 温度每升高１℃, 正向压降减小２～２.５ｍV；温度每升高１０℃, 反向电流约增大 1 倍。二极管的特性对温度很敏感。 1.2.3二极管的主要参数 为了描述二极管的性能，常引用以下几个主要参数： （1）最大整流电流IF ： IF是二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，其值与PN结面积及外部散热条件等有关，若超过此值，则将因温升过高而烧坏。 （2）最高反向工作电压UR ： UR是二极管工作时允许外加的最大反向电压，超过此值时，二极管有可能因反向击穿而损坏。通常UR为击穿电压的一半。 （3）反向电流IR： IR是二极管未击穿时的反向电流。 IR愈小，二极管的单向导电性愈好。 （4）最高工作频率fM： fM是二极管工作的上限频率。超过此值时，二极管将不能很好地体现单向导电性。 （5）动态电阻rd ：反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。在二极管工作点附近, 电压的微变值ΔＵ与相应的微变电流值ΔＩ之比为rd, 即 （6）正向压降Uf：在规定的正向电流下，二极管的正向压降，硅管约0.6~0.8V; 锗管约0.1~0.3V。  1.2.4 二极管的等效电路 二极管的伏安特性具有非线性，这给二极管应用电路的分析带来一定的困难。为了便于分析，常在一定的条件下，用线性元件