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第三章 化合物半导体材料 前已述及，化合物半导体种类很多。有二元化合物半导体、三元化合物半导体、以及多元化合物半导体。 本章以Ⅲ-V族二元化合物半导体GaAs为主，重点介绍二元化合物半导体单晶材料的结构、性质及制备方法。 自从1952年威耳克( Welker )研究了Ⅲ-V族化合物半导体的性质以来，由于它们的独特能带结构与性质，Ⅲ-V族化合物的制备和应用方面都取得了巨大进展。 目前在微波器件，光电器件、霍尔器件(Hall DeYice)，以及红外探测器件等都有着广泛地应用。在国民经济中越来越发挥着重要作用。 砷化镓集成电路也日趋成熟，其运算速度比硅集成电路要快得多，特别是两种或两种以上的Ⅲ-V族化合物还能形成多元化合物半导体 （也称混晶）。 § 3 - 1 Ⅲ-V族化合物半导体的特性  一、Ⅲ-V族化合物半导体的一般性质 Ⅲ-V族化合物是由周期表中的ⅢA族和VA族元素按一定比例组合而成。见表6-1。 周期表中的ⅣA族元素半导体为金刚石、锗、硅和灰锡，都有四个价电子，Ⅲ 族原子比 Ⅳ族原子少一个价电子，而V族原于则比Ⅳ族多一个价电子。 因此Ⅲ-V 族化合物每个原子的平均电子数与Ⅳ族半导体的相同( 称为电子原理 )。 Ⅲ-V 族化合物的晶体结构和电子性质在许多方面与Ⅳ族半导体所具有的相似，这九种化合物的结晶都是闪锌矿结构，类似于Ⅳ族元素金刚石结构（见图6-1）。 我们可以对每一个Ⅲ族和V族元素指定一个特征性半径，组成闪锌矿结构的四面体键合化合物中，相邻原子的原子核间的距离就是两个原子半径的总和。表6-2中列出了Ⅲ族和V族原子的四面体半径数值，其中Ⅳ族元素也列入表中。 例如 Ga和 As的半径之和2.44，即是Ga原子和As原子在GaAs中原子核的间距，也是最近邻距离，或称为键长。虽然这些Ⅲ-V族化合物主要是共价键形式，并且最近邻距离和Ⅳ族元素也一样，但和Ⅳ族元素半导体相比，在性质上还是有很大差别的。 这种差别的来源在于构成原子的负电性。它使亲和力具有离子成分。特别是离子成分的引入，使得Ⅲ-V族的总能量高于相对应的Ⅳ族元素的总能量。 由于这个结果，它们的结合是较强的。因而熔点较高。同样相对应的禁带宽度也较大，而且比起来熔点增大的更快 。 这一点很重要。因为大的禁带宽度是制造高温与大功率器件所需材料的必要条件，反之，低熔点则会使材料的制备相对来说较简单。表 6-3 列出Ⅲ-V族化合物的某些重要性质。为了便于比较，也把Ⅳ族元素 Ge，Si 的性质一并列出。 由表中看出，某些Ⅲ-V族化合物具有Ⅳ族元素半导体 Ge、Si 所没有的或不及的优良性质。表现在： ① 迁移率高。可作高频，高速器件。 ② 禁带宽度大。可用作高温，大功率器件。 ③ 能带结构是直接跃迁型。因此转换成光的效率高，可作半导体激光器和发光二极管等。 由表6-3可看出：GaAs 和 InP 是很有价值和前途的，是当前应用较广泛的典型材料；AlP 和 GaP，由于它们有大的禁带宽度，对制作低频高温器件有利。 又如InAs和InSb材料，由于它们有高的电子迁移率，具有大的霍尔( Hall )效应和磁阻效应，适于作霍尔器件，InSb的光灵敏度甚高， 在室温下其下波限可超过7μm ，因而是一种很有价值的红外探测器的材料。由上述列举的一些性质可知，Ⅲ-V族化台物半导体材料的应用是非常广泛的。 二、Ⅲ-V族化合物半导体的晶体结构 几乎所有Ⅲ—V族化合物都排列成两种形式的晶体结构，即立方 “闪锌矿型” 结构和六方“纤维锌矿型” 结构。 除少数几种Ⅲ-V族化合物（如BN，AlN，GaN，InN）的晶格为“纤维锌矿”结构外，大多数Ⅲ-V族化合物 ( 包括AlP，AlAs，GaP，GaAs、GaSb，InP，InAs，InSb ) 的晶格都是“闪锌矿型”结构。 闪锌矿结构与金刚石结构不同的地方是： 金刚石结构中全部由一种原子组成，而闪锌矿结构则由二种原子组成，每一个原子的近邻是四个异类原子。 例如 GaAs的品格结构，每一个Ga原于周围为四个As 原子，每个 As 原子周围近邻为四个 Ga 原子，正是由于二者在晶格结构上有不同之处，而引起 Ⅲ-V 放化合物与金刚石结构的 Ge、Si 相比有不同的新特征。 三、Ⅲ一V族化合物半导体晶体