半导体三极管（BJT）.pptVIP

* 此处说明电压电流等为什麽用相量形式. 3.1.1 BJT的结构简介 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理 3.1.3 BJT的特性曲线 3.1.4 BJT的主要参数 3.1 半导体三极管（BJT） 3.1.1 BJT结构简介 三极管的构造核心：一块有两个相互联系的PN结单晶；示意图如下 发射区 发射极，用E或e 表示（Emitter） 发射结(Je) 基极，用B或b表示（Base） 集电极，用C或c 表示（Collector） 集电区 基区 集电结(Jc) 两种类型的三极管 两种BJT类型NPN型和PNP型及其符号 3.1.1 BJT简介 BJT制造工艺：合金法、扩散法 按材料：硅三极管、锗三极管 按用途：高频管、低频管、功率管、开关管 (国标) ：国产三极管的命名方案 3.1.1 BJT简介 BJT的分类 BJT的外形图 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 三极管的放大原理归结为 外部条件：发射结正偏，集电结反偏 内部机制：载流子传输 发射区：发射载流子（IE） 基 区：载流子复合（IB’）与扩散 集电区：收集扩散