二极管及其应用1.doc

第一章二极管及其应用1 任务一二极管的特性、结构与分类2 目的要求： 1.了解PN结、二极管的单向导电特性 3.了解稳压二极管和特种二极管的特点 4.了解二极管和稳压二极管的用途 重点难点： 重点 二极管的结构、特征和分类 教具： 电子课件、计算机、投影屏幕 复习提问 1.半导体的导电能力与那些因素有关？ 2.P型和N型半导体的特点？ 课堂讨论 1.同温下，硅二极管和锗二极管的特性相同吗？ 2. 同一只二极管，当温度不同时，其特性相同吗？ 3.PN结为何具有单向导电特性？ 本征半导体、P型和N型半导体都不能单独构成半导体器件，PN结才是构成半导体器件的基本单元。 1.2.1 PN结的形成 在特殊工艺条件下，P型和N型半导体交界面处所形成的空间电荷区，称为PN结. 多数载流子的扩散 在P型和N型半导体交界面两侧,电子和空穴的浓度差很大。在浓度差的作用下，P区中的多子空穴向N区扩散,在P区一侧留下杂质负离子,在N区一侧集中正电荷;同时，N区中的多子自由电子向P区扩散，在N区一侧留下杂质正离子，在P区一侧集中负电荷。结果，在P型和N型半导体交界面处形成空间电荷区，自建内电场ε内（从N区指向P区），如图1-6所示。 少数载流子的漂移 在内电场的作用下，P区中的少子自由电子向N区漂移，而N区中的少子空穴向P区飘移，使内电场削弱。 扩散与漂移的动态平衡 当内电场达到一定值时，多子的扩散运动与少子的漂移运动达到动态平衡时，空间电荷区不再变化，这个空间电荷区，就称为PN结。 空间电荷区无载流子停留，故曰耗尽层，又叫阻挡层或势垒层。无外电场作用时，PN结内部虽有载流子运动，但无定向电流形成。 1.2.2 P 一. PN结加正向电压 PN结加正向电压（正偏）时，外电场与内电场反方向，使空间电荷区变窄，多子的扩散运动远大于少子的漂移运动，由浓度大的多子扩散形成较大的正向电流，PN结处于导通状态。此时，其正向通态电阻很小，正向通态管压降也很小，如图1-7（a）所示。 二. PN结加反向电压 PN结加反向电压（反偏）时，外电场与内电场同方向，使空间电荷区变宽，多子扩散运动大大减弱，而少子的漂移运动相对加强，由浓度很小的少子漂移形成很小的反向饱和电流IS,PN结处于截止状态。此时，反向电阻很大。如图1-7（b）所示。 PN结正偏时导通，反偏时截止，故具有单向导电特性。其特性曲线如 图1-8所示，电压U与电流I的关系式为 ID=IS（） 三，反向击穿 当PN结所加反向电压达到UB时，其反向电流急剧增加，叫反向击穿，UB叫击穿电压。 PN结有雪崩击穿和齐纳击穿两种击穿状态。无论处于何种击穿时，反向电流只要不超过允许值，去掉反向电源后，仍能恢复单向导电性。 四，PN结的电容效应 1.势垒电容CT 当PN结的反偏电压变化时，空间电荷区随之变宽（相当于充入电荷）或变窄（相当于放出电荷），故具有电容效应，叫势垒电容，用CT表示。 2.扩散电容CD 当PN结的正偏电压变化时，P区和N 区中多子的浓度和浓度梯度均随之变化，也具有一定的电容效应，叫扩散电容，用CD表示 3.PN结的结电容CJ CJ=CT+CD 正偏时，CD起主要作用；反偏时，CT起主要作用。 1.2.3半导体二极管 一，二极管的结构 给PN结加上两个引线（管脚）和管壳即成二极管，接P区的管脚称阳极，接N区的管脚称阴极。 二，二极管的类型 按结构区分， 如图1-2所示 点接触型：PN结面积小，工作电流小，PN结电容小，工作频率高。 面接触型：PN结面积大，工作电流大，PN结电容大，工作频率低。 按工作频率区分 有高频管和低频管。 按功率区分 有大功率管和小功率管。 按用途区分 有普通管、整流管、稳压管、开关管等等。 三，二极管的特性 正向特性，与PN结相同 反向特性，与PN结相同 击穿特性，与PN结相同 温度特性， 温度升高时，二极管的正反向特性曲线均向纵轴靠近，如图1-13所示。 主要参数 最大整流电流IF，又叫额定电流。 最大反向工作电压UR，又叫额定电压。 反向饱和电流IS。 反向电流IR，二极管未击穿时的电流值。 最高工作频率fM。 直流电阻RD：RD=UD/IF，如图1-14所示。 交流电阻rd：RD=ΔUD/ΔID=dud/did,如图1-15所示。 rd系指某一工作点的动态电阻。常温下，rd=UT/ID=26(mv)/IDQ IDQ为直流工作点的电流，单位为mA 1.2.4 稳压二极管(补充) 一.结构 结构与普通二极管相似，只是掺杂浓度比普通二极管大得多，通常为硅材料稳压二极管。 二.特性 正向特性曲线与普通二极管的正向特性曲线相