高压RESURF-LDMOS-等效电路模型的研究.docVIP

PAGE PAGE 17 目录 第一章.绪论 …………………………………………………………………… 1.1功率器件发展历程 1.2 LDMOS的概述和研究现状 1.3 LDMOS模型发展状况 1.4 本文的主要工作 第二章.LDMOS 晶体管原理及寄生效应 2.1 RESURF LDMOS晶体管原理 2.1.1 RESURF 2.1.2 LDMOS 的基本 2.1.3 2.1.4 2.2 LDMOS的寄生效应 2.2.1 Kirk 效应 2.2.2 寄生晶体管效应 2.3.3 自加热效应 2.3.4 热载流子效应 第三章.研究LDMOS的物理性质…………………………………………