光机电系统及应用.pptxVIP

光电传感器 光电器件 光机电应用 1.光电传感器简介 1.1光电传感器定义 光电式传感器：将光信号转换为电信号的一种器件，其物理基础是光电效应。用光电器件测量非电量时，需要将非电量的变化转换为光量的变化，然后通过光电器件的作用，就可以得到电量的变化。 光电传感器 外光电效应 内光电效应 光电管 光电倍增管 光敏器件 光生伏特器件 1.2 光电传感器的分类（根据对入射光响应原理） 2.光电传感器结构 系统构成 光源＋光路＋光电器件＋信号调理电路 测量原理 被测量光学量光电器件电量 电流、电压，或电导率 物理基础——光电效应，红外技术， 激光干涉原理，激光衍射原理， 激光全息原理 5 3.光电器件 作用:将光信息转换为电信号 光信息:光强度、光相位、光频率 电信号:电流、电压、电阻 分类： 热辐射探测器 光子探测器 6 3.1 热辐射探测器 热辐射探测原理 任何物质温度大于 0 K 都会辐射红外线； 红外线可以被物质吸收，使其温度升高. 光照射到温度传感器传感器温度升高电信号. 分类： 测辐射热电偶 测辐射热敏电阻 热释电探测器 7 3.2 光子探测器 物理基础：光电效应 光具有波粒二象性：粒子说、波动说 光子具有一定的能量 布朗克常数 ， f :光的频率 原理： 光照射在物体上，光子的能量传递给电子，电子获得能量动能增加，摆脱内部力的束缚，成为自由电子。 光能电能 8 特点： 光子探测器响应速度快，可以达到ns级； 对红外光的波长具有选择性； 入射光的频率必须大于材料的“红限”； 光子探测器工作环境要求较严格 类型： 光电发射型(光电管、光电倍增管) 光电导型(光敏电阻) 光电结型(光敏二极管、光敏晶体管) 光生伏特型(光电池) 9 光电管 结构：光电阴极＋阳极＋真空玻璃罩 光电材料：银氧铯\锑铯\镁化镉 原理： 无光照时，阴极与阳极短路，回路无电流； 光打在阴极上，阴极电子获得能量逸出材料表面外(光电子); 在外加电场作用下，光电子被阳极吸收，阴阳极间形成电子流; 回路中产生电流(光电流)——与光得强度成正比. 外光电效应的条件——“红限” (1) 光电发射型 10 (2) 光电导型(光敏电阻、光导管) 半导体材料在光的作用下，电阻率发生变化的现象称为光导效应 结构与原理 无光照时,半导体材料载流子极少,电阻很高(暗电阻), 电路中无电流流过； 有光照时,半导体中载流子剧增,电阻极剧下降(亮电阻),电路中有对应的电流产生. 暗电阻:10~100MΩ 亮电阻:10kΩ ■ 材料：硫化镉、硫化铊、硫化铅 11 光电特性 电源电压不变时，电流I与光通量φ的关系，可做测光元件或光控开关. 伏安特性 光通量不变时，电流I 与电压关系(线性) 在允许功率下，光敏电阻是良好线性器件. 光谱特性 光通量和电压不变时，电流与入射光波长成一定关系. 对波的波长具有选择性. 可探测波长比其他光子探测器宽得多. 12 (3) 光电结型 (光敏二级管、光敏三极管) 结构： 与普通二极管和三极管相似， 只是其PN结具有光敏特性. 原理 光敏二极管的PN结在电路中反向偏置; 无光照时,结内仅有极少数载流子,回路中只有极小的反向饱和漏电流(暗电流10-8~10-9A),二极管方向截至; 有光照时,结内激发大量的载流子,反向漏电流显著增加(亮电流,与光照成正比). 13 (4) 光生伏特型(光电池) 光生伏特效应 某些半导体材料受光照时在一定方向产生电动势 具有光生伏特效应的器件被称为光电池 材料： 硅(红外)、硒(可见光) 结构： 由N型半导体(或金属)与P型半导体组成的PN结 14 硅光电池(太阳能电池) N型单晶硅片+P型薄层+电极PN结; N中电子向P中扩散， P中空穴向N中扩散; 无光照时，载流子扩散形成阻挡层，阻止P中空穴的进一步扩散，动平衡； 有光照时，PN结附近P型层中激发出电子空穴对，电子穿过阻挡层，积累在N型硅，空穴留在P型层中; 两电极间电场逐渐增强，直至电场足以抵制电荷的进一步漂移； 当光强度一定时，电动势达到动态平衡,相当于一个电池。 15 4.1.烟尘浊度检测仪 光源：400nm~700nm 光检测器范围：400~600nm 4.应用 16 4.2.生产线上的自动计数 4.3.光学定位系统 在丝网印刷中，二次定位较为困难。采用光学系统定位，可以方便快速地实现精确对准定位。 主要原理器件：二维PSD位置敏感器 18 4.3.1位置敏感器件PSD简介 PSD的工作原理 原理 光线照