直流激励时霍尔传感器位移特性实验.pdf

华南师范大学实验报告 实验项目： 直流激励时霍尔传感器位移特性实验 一、实验目的： 了解霍尔式传感器原理与应用。 二、基本原理 ： 金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于磁场和电流的 方向上将产生电动势， 这种物理现象称为霍尔效应。 具有这种效应的元件成为霍 尔元件，根据霍尔效应， 霍尔电势 UH＝KHIB ，当保持霍尔元件的控制电流恒定， 而使霍尔元件在一个均匀梯度的磁场中沿水平方向移动， 则输出的霍尔电动势为 U H kx ，式中 k—位移传感器的灵敏度。这样它就可以用来测量位移。霍尔电 动势的极性表示了元件的方向。磁场梯度越大，灵敏度越高；磁场梯度越均匀， 输出线性度就越好。 三、需用器件与单元： 霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、± 15V 直流电源、测微头、数显单元。 四、实验步骤： 1、将霍尔传感器安装在霍尔传感器实验模块上，将传感器引线插头插入实 验模板的插座中，实验板的连接线按图 9-1 进行。 1、3 为电源± 5V ，2、4 为输 出。 2、开启电源， 调节测微头使霍尔片大致在磁铁中间位置， 再调节 Rw1 使数 显表指示为零。 图 9-1 直流激励时霍尔传感器位移实验接线图 3、测微头往轴向方向推进， 每转动 0.2mm 记下一个读数， 直到读数近似不 变，将读数填入表 9-1 。 表 9－1 X （mm） V(mv) 作出 V-X 曲线，计算不同线性范围时的灵敏度和非线性误差。 五、实验注意事项： 1、对传感器要轻拿轻放，绝不可掉到地上。 2、不要将霍尔传感器的激励电压错接成± 15V，否则将可能烧毁霍尔元件。 六、思考题： 本实验中霍尔元件位移的线性度实际上反映的是什么量的变化？ 答：本人认为应该是实际的输入、输出与拟合的理想的直线的偏离程度的变化， 当 X 不同的时候，实际的输出值与根据拟合直线得到的数值的偏离值是不相同 的。 七、实验报告要求： 1、整理实验数据，根据所得得实验数据做出传感器的特性曲线。 实验数据如下： 表 9－2 X （mm） 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 V(mv) 729 523 347 177 85 -80 -235 -354 -465 -575 V-X 曲线如下： V-X曲线 800 600 400 200 V 0 V(mv) X(mm) -200 -400 -600 -800 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 V(mv) 729 523 347 177 85 -80 -235 -354 -465 -575