硅V型槽的制作工艺瑞合航天.pptVIP

五、湿法腐蚀工艺 EPW腐蚀系统：乙二胺（NH2（CH2）2NH2） E 邻苯二酚（C6H2（OH）2） P 水 W 反应： 电离： NH2（CH2）2NH2+H2O—NH2（CH2）2NH3++（OH)- 氧化还原：Si+2 (OH)- +4H2O—Si(OH)6=+2H2 络合过程： Si(OH)6=+ C6H2（OH）2—Si(C6H4O2)3=+6H2O 乙二胺，水：氧化； 邻苯二酚：络合 反应装置： 反应温度：摄氏115度，低温时会在硅表面产生不可溶解的残留物，使表面粗糙 带回流：防蒸发 带搅拌：更均匀 有毒：需要防护 五、湿法腐蚀工艺 几种典型腐蚀液： T腐蚀剂： E:17ml；P:3g；W:8ml（mol比：E:P:W=35.1%:3.7%:61.2%) 摄氏110度，腐蚀速率比100:110:111=50:30:3(微米/小时） B腐蚀剂： E:7.5ml；P:1.2g；W:2.4ml（mol比：E:P:W=43.8%:4.2%:52%) 摄氏118度，腐蚀速率比100:111=50:1(微米/小时） 摄氏100度以上表面平整、光滑、无残留物 F腐蚀剂、S腐蚀剂；加入不同的二氮杂苯 五、湿法腐蚀工艺 择优机理： 与晶体结构有关 与不同晶向的悬挂键有关 与背键有关 通常{